界面二氧化硅层对二极管辅助硅基磁电阻效应影响的研究.pdfVIP

第 36卷 第 2期 三峡大学学报 (自然科学版) Vo1．36No．2 2014年 4月 JofChinaThreeGorgesUniv．(NaturalSciences) Apr．2O14 界面二氧化硅层对二极管辅助硅基磁 电阻效应影响的研究 刘 源 。 谭新玉 朴红光 (1．三峡大学 理学院，湖北 宜昌 443002；2．三峡大学 新能源研究院，湖北 宜昌 443002) 摘要 ：本文制备 了二极管辅助 的晶体硅磁 阻(magnetoresistance，MR)器件，研 究了界面二氧化硅 层的磁阻放大作用及器件在硅基磁 电子器件 中的可能应用．通过有与无二氧化硅层 的实验对比， 发现引入二氧化硅层后器件的磁阻在室温和 1．2T磁场下达到了527 ，磁阻性能提升了76 以 上．通过对无磁场作用下伏安特性的测量，证明了氧化硅层的引入增加 了界面电阻，通过等效 电路 分析 ，对相关机理进行 了讨论．这项工作将为硅基磁 电子器件的可能应用提供一种新的方法． 关键词 ：硅 ； 磁阻； 二氧化硅； 二极管 中图分类号 ：0472 ．6 文献标识码 ：A 文章编号 ：1672—948X(2014)02—0098-04 InfluenceofInterfaceSilicon DioxideLayeronDiode AssistedM agnetoresistanceinSilicon Liu Yuan · TanXinyu ’。 PiaoHongguang。 (1．CollegeofScience，ChinaThreeGorgesUniv．，Yichang443002，China；2．New EnergyResearchInsti— tute，ChinaThreeGorgesUniv．，Yichang443002，China) Abstract W ehavemanufacturedadiode--assistedsmcon— basedmagnetoresistance(M R)device．Theinflu— enceofinterfacesilicaonmagnetoresistanceisstudied．ItiSfoundthattheintroductionofthesilicaeffectively enhancedtheMR effect．TheMR can beachieved to about527 at1．2T atroom temperature，whichin— creasednearly76 relativeto thesampleswithoutsilicon dioxidelayer．I—V testforthesampleswithout magneticfield showed the interface contactresistancewasincreasedremarkablywith the insertofsilica， which1edtotheincreaseoftheMRaccordingly．Thisworkmayopenanew wayforthepracticalapplication ofthesilicon-- basedmagnetoresistancedevices． Keywords Silicon； Magnetoresistance； Silicondioxide； diode 磁致电阻，简称磁电阻或者磁阻(magnetoresist— 基的磁传感器和非磁性半导体基的磁传感器．前者以 ance，MR)，是表征材料电阻在磁场下 的变化率 的物 巨磁阻(GMR)L3器件和磁性隧道结 (TMR)_4为代 理量．MR效应几乎是整个磁传感工业的核心，在汽 表 ，主要应用于低磁场感应 ；后者则以高迁移率的碲 车 、航空航天、电子罗盘 、计算机 、装备制造业等诸多 化铟 (InSb)~朝材