碳化硅肖特基结的研制.pdfVIP

2014年03期 科技 国向导 ◇科技论坛◇ 碳化硅肖特基结的研制 陈守迎 张 聪 汤德勇 (济南市半导体元件实验所 山东 济南 250014) 【摘 要】近年来，si器件的设计和制造工艺取得巨大进步，使si器件特性已经接近材料理想极限 SiC材料的禁带宽度大、热导率高、临界 电场高，SiC器件的高压、高温和抗辐射能力都远高于Si器件。本论文采用了si器件的各种制成工艺技术．包括保护环、结终端扩展和台面结 构，选用镍(Ni)与4H—SiC接触形成肖特基势垒．SiC肖特基二极管的基本结构与Si肖特基二极管相同，实验取得成功。 关【键词】禁带；热导率；器件；SiC；肖特基二极管 A【bstract]Inrecentyears，greatprogresshasbeenmadeintheSidevicesdesignandmanufacturingtechnology，s0thattheSidevices characteristicshavebeenclosetothematerialideallimit．SiCmaterialhaswidebandgap，high thermal conductivity，high criticalelectricfield，the breakdownvoltage，operatingtemperatureandresistancetoradiationofSiC devicesismuchhigherthanthatofSidevices．Inthispaper，usingavraiety oftemrinaltechnologyofSidevices，includingtheprotectionring,junctionterminalexpansionandthemesastructure，selectionofniekel(Ni)and4H—SiC contacttofomr aschottkybarrierisOK，thebasicstructureoftheSiC schottkydiodeissametoSischottkydiode．Theexperimentwasasuccess． K【eywords】Bandgap；Thermalconductivity；Devices；SiC；Schottkydiode O．引言 2 与传统的硅 肖特基二极管相比，SiC肖特基二极管耐高温、抗辐 R 型每． (2．1) 8s汪 射、具有较高的击穿电压和工作频率．适于在恶劣条件下工作，减少设 从式(2．1c)计算表明具有相同击穿电压的si器件和器件相比较， 备的发热量，从而可大幅度降低电力变换器的体积和重量。但是其制 SiC导通电阻比si导通电阻小大约两个数量级．SiC材料击穿特性明 备工艺难度大，器件成品率低，价格昂贵。在我国的航天、航空、雷达、 显优于Si材料 核能开发等军用领域 ，以及石油和地热钻井勘探、变频空调、平板电 2．2正向压降和功耗 视、混合动力汽车和电动汽车以及太阳能光电变换等民用领域．作为 按照半导体肖特基势垒的热电子发射机理．4H—SiC肖特基势垒二 节能降耗的关健器件．SiC肖特基二极管都有巨大的应用潜力 由于美 极管正向导通压降是4H—sic