纳米压印技术制备表面二维光子晶体发光二极管.pdfVIP

第 53卷 第 5期 厦 门大学学报 (自然科学版) Vo1．53 No．5 2014年 9月 JournalofXiamenUniversity(NaturalScience) Sep．2014 纳米压印技术制备表面二维光子晶体发光二极管 陈志远 ，刘宝林 ，朱丽虹 ，樊海涛 ，曾凡明 ，林 飞 (1．厦门大学物理与机电工程学院，2．厦 门大学化学化工学 院，福建 厦 门 361005) 摘要：研究利用纳米压印技术在氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)表面制备二维光子晶体结构对器件出光的影响．利 用聚合物 (IPS)软模板二次压 印技术 ，在样品表面形成较为完整的掩膜 ，通过感应耦合等离子体 (ICP)刻蚀工艺分别在 p-GaN层与 ITO层成功制备 了较大面积 的光子 晶体结构，结构周期为 465nm，孔状结构直径为 245nm．制成芯片后对 样品进行测试 ，结果表 明在 LED表面制备二维光子 晶体结构会导致 LED芯片光谱峰值位置发生偏移 ，同时在 p-GaN 层制备二维光子晶体结构能够将 LED芯片的发光强度提高 39 ，而在 ITO层所制备的光子晶体结构并未对器件的性 能有显著的改善． 关键词 ：纳米压印；光子晶体；氮化镓；发光二极管 中图分类号 ：O475 文献标志码 ：A 文章编号 ：0438—0479(2014)05—0693—06 发光二极管 (LED)取代 白炽灯与荧光灯成为下 的有源层成功制备二维光子 晶体结构 ，通过测试表明 一 代 日常照明光源 已经成为世界各 国政府、科技界以 采用这类光子晶体结构能够将 LED的发光强度提高 及产业界的共识．目前 LED光提取效率较低是 困扰 1倍 ；Wu等 则通过在 p-GaN表面制备二维光子晶 学者们的一大难题 ，产生这一 问题的原 因在于构成传 体结构来提高 LED 的光提取效率 ，实验表 明光子晶 统 LED的主要材料氮化镓 (GaN)具有较高的折射率 ， 体 LED的发光强度为普通 LED 的 1．9倍．由于在 因此 GaN 基 LED 芯片有源层产生 的大部分光在 LED表面制备光子 晶体结构 的工艺流程较为简单且 GaN与空气界面处发生全反射从而难以从芯片中逃 不会对 LED有源层造成损伤 ，因此这一方法正逐渐 逸出去．如何有效提 高 LED器件 的光提取效率是这 成为光子晶体 LED领域的研究热点． 一 领域 目前的重点课题之一． 目前制备二维光子晶体结构的主要方法有电子 利用光子晶体结构提高 LED器件 的光提取效率 束光刻 、光全息 和纳米压印m 等．相对于其他制 是继 LED倒装结构 [1]、分布布拉格反射层 (DBR)_2]和 备方法，纳米压印技术具有工艺简单 、结构完整、易大 表面粗化技术E3_之后 的又一重要方法．目前利用光子 面积制备等优点 ，故本文采用该技术来实现二维光子 晶体结构来提高 LED器件性能的方法主要有 以下几 晶体结构 的制备．由于压印过程需要对模板及衬底施 种 ：1)在 GaN基 LED 的有源层制备光子 晶体结 加一定的压力 ，若模板与衬底均采用硬度较大的材料 构E，利用光子晶体结构的光子禁带效应提高光提取 则可能导致模板和衬底发生损坏甚至碎裂．因此 ，本 效率；2)在 GaN基 LED的蓝宝石衬底制备光子 晶体 研究采用聚合物 (IPS)软模板对样 品表面进行压印， 结构[5]，研究表明这一方法在提高光提取效率 的同时 能够在保护压 印模板 的同时在样 品表面形成完整 的 还能改善 GaN 晶体 的生长质量 ；3)在 GaN基 LED 纳米结构．纳米压印之后对样品进行感应耦合等离子 的P—GaN 层或 ITO层表面制备二维光子 晶体 结 体 (ICP)刻蚀从而在 p-GaN和 ITO层表面获得光子 构 ]，