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Avoiding siliconglass bonding damage with fusion bonding method.pdf
维普资讯
September102004|Vo1.2No.9|CHINESEOPTICSLETTERS 541
Avoidingsilicon/glassbondingdamagewith
fusionbondingmethod
DaohongYang(杨道虹),ChenXu (徐 晨),andGuangdiShen (沈光地)
CollegeofElectronicInformation ControlEngineering,BeSingUniversityofTechnology
BeifingOptoelectronicTechnologyLaboratorLBeijing100022
ReceivedMarch15,2004
A n()、relfusionbonding InethodbetweensiliconandglasswithNd:YAG laserisdescribed.Thismethod
overcomesthemovablemechanicalpartsdmnagecaused bytheelectrostaticsofrceinmicro—electronic
machine—system (MEMS1deviceduringtheanodicbonding.Thediameteroflaserspotis300ttm,the
poweroflaseris100Ⅵ.thelaservelocityforbondingis0.05m/stheaveragebondingtensionis6.3MPa.
Itcoulddistinctlyreduceandeliminatetiledefectsanddamage.especiallyinmovablesensitivemechanical
partsofMEM Sdevice
O( codes:220.4000.140.3390.160.2750.160.6000.
Thetechniqueofanodicbonding enablesglassto coin— glassat,theinterfacebetweenthesilicon andglass,and
binewith metal,alloywith semiconductor,and glass thenthroughinteractivecollisiontheenergyistransmit—
with semiconductorbondinginlowertemperaturewith— tedtotheatomsaround.Theaveragetimeforcollision
outanvgluet. Thebondinginterfaceisofgreatairproof isattheanlountof10—12which isfarlessthan the
andpermanentstability.Anodicbondingissimpleinre— maintaining timeoflaserirradiating.W ithin thelaser
quirementofequipmentandconvenientinoperation,so irradiatingtime,theatomsattheinterfacecan beex-
itisoneofthemostDequentl~rusedmethodst
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