Laser induced crystallization of as-deposited amorphous Ge2Sb2Te5 films.pdfVIP

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2017-08-26 发布于湖北
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Laser induced crystallization of as-deposited amorphous Ge2Sb2Te5 films.pdf

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维普资讯 September102004}Vo1．2No．9tCHINESEOPTICSLETTERS 555 Laserinduced crystallization of aass-ddeepoosslitteedamorPphhoouussGc4ee22SbD22Tee5filillmmS GuangjunZhang(张广军)，DonghongGu (顾冬红)，FuxiGan (干福熹)， ZhenrongSun (孙真荣)。，andJianyuGuo(郭建宇) LaboratoryforHighDensityOpticalStorage，ShanghaiInstituteofOpticsandFineMechanics ChineseAcademyofSciences，Shanghai201800 EastChinaNormalUniversitB Shanghai200062 ReceivedM arch 2，2004 CrystaIIizationisinducedbvpulsedlaserirradiationofas—depositedamorphousGeySb2Te5films．Changes oftheirradiatedareashavebeen analyzedwith thereflectivitycontrast．Aslaserfluencesincreas ing， thereflectivity contrastincreasesfrom 0％一 2％ to 14％一 16％，which indicatesthestructureofaLs— depositedfilmstransformsfrom amorphoustocrystallinephases．Ttieprocessofcrystallization drivenby themovementandrearrangementofatomsisdescribed．Andalsotheinfluenceofthepulsedurationon thethresholdofcrystallization isdiscussed．theresultsshow thatalowerthresholdofcrystallization can beproducedforaLs—depositedfilmsirradiatedbythelas erwith shortpulseduration．However，bythelaser with longpulseduration，crvstallization callonlv beformedwith ahigherthreshold．Thecrystallization offilmsbyirradiationoflaserpulsesisstudiedbyRaman spectra． 0C／Scodes：210．0210，210．4810．160．4670． Theproblem oflaser—induced crvstallizati0nsinamor— As—depositedamorphousGe2Sb2，I filmswithathick— phousfilmshasbeen thescopeofintensiveexperimen— nessof50 nm weredeposited on theK9 glassby dc— tala