等离子体化学气相沉积氮化镓薄膜中的N2TMG等离子体发射光谱分析.pdfVIP

第 33卷 ，第4期 光 谱 学 与 光 谱 分 析 Vo1．33，No．4，ppl108—11l1 2013年 4月 SpectroscopyandSpectralAnalysis April，2013 等离子体化学气相沉积氮化镓薄膜中的 N2／TMG等离子体发射光谱分析 符斯列 ，王春安 ，陈俊芳 1．华南师范大学物理与电信工程学院，量子信息技术重点实验室，广东广州 510006 2．广东技术师范学院电子与信息学院，广东 广州 510665 摘 要 对电子回旋共振低温等离子体化学气相沉积工艺 (ECR-PECVD)沉积 GaN薄膜过程中的氮气和三 甲基镓有机金属气体 (TMG)混合气体等离子体发射光谱进行分析。结果表明TMG在等离子体 自加热条件 下就发生离解，Nz／TMG混合气体ECR等离子体主要以Ga气体粒子和亚稳态氮分子为主。发射光谱特征 谱线随微波功率变化分析表明：当微波功率高于 400W 时，亚稳态氮分子浓度随着微波功率的增加而增加， 而高激发态氮分子以及氮分子离子浓度却随着减少。 关键词 等离子体化学气相沉积；GaN；等离子体发射光谱 中图分类号：0536 文献标识码：A DOI：10．3964~．issn．1000—0593(2013)04—1108—04 采用光栅光谱仪，对ECR-PECVD工艺沉积GaN薄膜 引 言 中的Nz／TMG混合气体等离子体发射光谱进行分析 ，结果 表明在 Nz／TMG混合气体 ECR等离子体中，三甲基镓有机 氮化镓及相关氮化物作为一种典型的宽禁带直接带隙半 金属气源在等离子体 自加热条件下就发生离解；N ／TMG混 导体材料，已广泛应用于高功率、高频率的场效应管以及蓝 合气体ECR等离子体主要以亚稳态氮分子和Ga气体粒子为 光和紫外LED器件中[13。目前普遍采用的GaN薄膜制备方 主，增加微波功率能有效增加亚稳态氮分子数 日。 法是有机金属化学气相沉积工艺。而等离子体化学气相沉积 工艺 (PECVD)近年来也逐渐得到重视。在PECVD工艺中， 1 实验部分 一 般以三甲基镓有机金属气源 (TMG，Ga(CH。)。)和高纯氮 气作为反应气体 。由于氮分子非常稳定极难被激化，因此需 分别以Nz和 TMG作为 N源和Ga源在 Al。0。衬底 要寻找一种能够充分激化氮气与 Ga反应的等离子体源，电 (0001)面上低温生长GaN薄膜。ECR-PECVD实验装置示意 子回旋共振 (ECR)等离子体就是其中一种。通过电子回旋共 图如图1所示，其中包括：共振腔和反应室。两排轴对称励 振吸收微波能量而产生的ECR等离子体，因具有低气压放 磁线圈，样品台，真空系统和流量控制系统。工作气体N 通 电、高离化效率、高等离子体密度等优点而广泛应用于高温 过流量控制器 (MFC)馈入到共振腔而反应气体 TMG通过另 薄膜材料的低温沉积f2]。 一 路气体馈入到反应室中。由两路轴对称励磁线圈产生轴对 在 ECR-PECVD工艺沉积 GaN薄膜过程中，ECR等离 称磁场，2450一MHzTEo微波通过石英玻璃导入到腔体 中， 子体存在Nz*，N ，N ，Ga，H等各种基团。识别与分析 并在共振腔磁场强度 875Gauss附近被 电子 回旋共振吸收， 这些基团在 GaN薄膜生长中的作用对理解和优化 ECR- 通过碰撞电离、离解、激发产生高密度ECR等离子体。高密 PECVD沉积GaN薄膜工艺具有指导意义。作为一种有效 度ECR等离子体在双极扩散作用下 向下游反应窜扩散，最 的、非接触式 的等