原子解析度电子显微镜分析技术简介.pdfVIP

毫 微 米 通 訊 原子解析度電子顯微鏡分析技術簡介 蔡增光 國家毫微米元件實驗室 自從 1932 年 E. Ruska (1986 年諾貝爾物 前言 理獎) 發明穿透式電子顯微鏡後，其影像解 穿透式電子顯微鏡 (transmission electron 析度 (通常以點分辨率 point resolution 來表 m i c r o s c o p y, TEM) 是非常重要的微電子材料 示) 一直是受限於其中電磁透鏡的像差 ( l e n s 微區及界面結構分析技術，其可協助製程監 a b e r r a t i o n ) ，尤其 是 物鏡 的 球面 像 差 控、技術研發、還原工程、故障分析等應 (spherical aberration, Cs) 。目前，減少物鏡的 用。對於深次微米半導體製程的研發而言， 球面像差以提高影像解析度的方式可藉由電 高倍率 (三十至兩百萬倍) 影像且具高解析化 子全像顯影 (electron holography) ，或透過一 學成份的材料分析技術，是非常自然的需 系列不同物鏡焦距的影像取得適當的離焦像 求，最明顯的例子就是目前半導體界在量測 ( d e f o c u s ) ，如 Scherzer defocus 、L i c h t e 閘極氧化層 (gate oxide) 的厚度時，最直接的 defocus 等，或者是經由理論模擬輔助重整出 方式是由高倍率穿透式電子顯微影像得到； 高解析度之影像。在試片較厚的情況下 (對 而其材料界面及微結構與化學成份分析就必 矽材料而言，約大於 300 nm) ，由於入射電 須以電子繞射圖樣分析、 X 光能量分散儀 子束與試片發生多次散射 (multiple scattering) ( e n e rgy dispersive spectroscopy, EDS) 或電子 的機率較高，因此色差 (chromatic aberration) 能損儀 ( electron energy-loss spectroscopy, 也就較為嚴重。近年來所發展的濾能穿透式 E E L S ) 、聚斂式電子繞射( c o n v e rgent beam 電子顯微鏡 ( e n e rgy filtering transmission electron diffraction, CBED) 等穿透式電子顯微 electron microscopy, EFTEM) ，就可改善色差 相關技術來達到。 1 9 9 9年 Bell Lab 的 D. A. 而提高影像解析度。本文將針對近年來穿透 Muller 等人在 Nature 上所發表的文章也說明 式電子顯微技術的研發趨勢，包括掃描穿透 了建立高倍率影像且具化學成份高解析技術 電子顯微鏡、電子能損儀分析作一概略性的 的需要性。[ 1 ] 介紹。 相較於一般穿透式電子顯微鏡所使用的 L a