具有内嵌光子晶体反射面的发光二极管的设计和研究.pdfVIP

mhCh Fo naIntematlonaIr㈨n50ⅢRate L。g㈨ng 具有内嵌光子晶体反射面的发光二极管的设计和研究 招瑜旧，范冰丰u．王钢10 1中山大学光电材料与技术国家重点实验室，广州市新港西路135号，邮编510275 2巾山大学半导体照明系统研究中心。广州市大学城外环东路132号中山大学微纳楼，邮编510006 化了光子晶体层的结构参数。首先，我们研究了具 摘要 有一维和二维的光于体图案的衬底的反射牢。然后 我们提出T一静在村嶷上具考兜子晶体高夏 我们模拟了具有内嵌光子晶体层的发光．极管仝 射界面酶垂直糖光：极管结掏，这种稚蛩魄结构司 结构的光学特性。最后，我们在前面结构的基础L， 减少光线进入碾光曲村斑．舂敢鹩提高蕞光二攮管 在发光二桎管表面添加表面光于晶体卒取层，研究 的也光效率， 其辐射的变化。我们计算的结果显示，这种内嵌的 介绍 光子晶体反射层可有效的提高发光二极管的出光 光子晶体(photonIccr灿Is，PCs)【1．2】，作 效率。 为一种特异的光学结构，引起了各国科研人员的关 注。光子晶体应用于发光器件中，可调制层结构中 具有光子晶体图案的材底的光学特性 的光学模场的强度，进而控制光于在发光器件中的 用于计算的模型如图1所示，我们研究的材料 传播。光子晶体结构可作为光学卒取层p，棚．反射 是GaN(“G=25)外延层和硅衬底。硅村底对可见 器【5-9，12．1捌和偏振过滤器【10，11】。GaN基的蓝 光吸收且具有色散。简单起见．我们仅考虑辐射峰 光发光■极管，由于受限于界面的全反射，其出光 值为470nm的蓝光麓光’极管，硅衬底的电介质常 效率仅为4％【14】。在发光二极营结构中制作光子晶 29+iO 数为20 4542口伽。图仲，结构1(c。n哟!) 体图案，其出光效率可有效提高，比如，采用光子 为仅包含GaN和硅村底的平面结构．结构 晶体表面卒取和光子晶体背面反射层结构，其出光 2(cDnng2)中包古了内嵌的光子晶体层。硅衬底的 效率可提高22倍之多f4】。 厚度为50“m。光子晶体层为周期排列的高折射率 由于光刻工艺和外延技术的不断进步，在发光 材料(“H=4 7)组成。 5)和低折射率材料(札=1 二极芯片内部制作内嵌的图形结构成为可能，并吸 为了实现其高反射特性，在光子晶体层与村底之间 引了越来越多的关注。许多工作报导丁在纳米图形 还有一层薄的低折射率fJaw阳伯diveindex．L刚) 村底上生长GaN基的发光二极管。在硅一绝缘层 材料层。研究表明15卅，低折射率层与光了晶体层 (sI¨c。n_on-insuIalor．s01)上制作的二维的硅的 的结合，可得到高反射特性，因此，上述光子晶体 岛状表面可有效的提高外延层的质量【1嗣，内嵌于 衬底界面可通过优化实现与高反射界面的功能。 外延层中的光子晶体结构可有效的改