超短超强激光产生正电子的蒙特卡罗模拟.pdfVIP

第 24卷第 6期 强 激 光 与 粒 子 束 Vo1．24，No．6 2012年 6月 HIGH POW ER LASER AND PARTICLE BEAM S Jun．，2012 文章编号 ： 1001—4322(2012)06—1396—05 超短超强激光产生正电子的蒙特卡罗模拟 闫永宏 ， 赵宗清 ，吴玉迟 ， 谷渝秋。， 曹磊峰 ，姚泽恩 ，滕 建z， 董克攻。， 刘东晓 ， 范 伟 ，魏 来。，余金清。 (1．兰州大学 核科学与技术学 院，兰州 730000； 2．中国工程物理研究院 激光聚变研究 中心 ，四川 绵阳 6219O0) 摘 要 ： 通过理论分析 ，建立 了超短超强激光与固体靶作用产生正电子 的蒙特卡罗模拟模型及 Geant4 模拟程序 。模拟研究 了靶材料 、靶厚度及超热电子温度等对正电子产额 的影 响，结果表 明：对铝 、铜 、锡、钽 、金 、 铅 6种靶材料 ，金靶 的正 电子产额最高，是优秀的正 电子产生靶 ；不 同超热 电子温度下存在不同的最佳靶厚度 ， 在最佳靶厚度 以下 。正 电子产额随靶厚度增长而增大 ，靶厚度取 3mm较为合适 ；超热电子温度越高 ，正电子产 额也越高 ，提高激光强度是增加正 电子产额的有效途径 。模拟研究给出了正 电子角分布及其 能谱 ，结果显示 ， 正 电子发射 明显前倾 ，从大于9O。方 向范围发射的正电子数量极少 ，且超热电子温度越高前倾特点越 明显，能量 呈类麦克斯韦分布 ，靶背法线方 向出射 的正 电子 的温度随超热电子温度升高而升高。 关键词 ： 超短超强激光 ； 超热电子 ； 正 电子 ； Geant4程序 中图分类号 ： 0536； O571．1 文献标志码 ： A doi：10．3788／HPLP1396 自2O世纪 30年代正电子被预言和发现以来，有关正电子的基础及应用研究已得到 了广泛的发展，如正电 子湮灭技术 已成功应用于材料缺陷和相变研究 。在正电子基础研究和应用研究中，正 电子源一直是广泛关注 的研究课题 。目前，通常用放射性同位素 Na的G衰变放 出的正电子作为研究用的正 电子源 ，但其产生 的正 电子能量低 ，产额也不高，不能满足天体物理等科研课题的需要 。近年来 ，利用超强激光产生高能量、高产额正 电子 已成为广泛关注的研究方 向。自1973年 J．W．Shearer等首次提 出了用超强激光产生正 电子的基本理 论以来 [1]，相关的理论及模拟研究相继被报道_2]。1999年 ，T．E．Cowan等首次在 Pw 激光器上证实了利用 激光与固体相互作用可产生正电子ll7]，2000年 C．Gahn等用桌面 fs激光器也产生并测量到少量的正电子l8]， 直到近两年 ChenHui等用 ps激光器产生并记录到了2×10 sr 的高产额量正电子 [9。 。目前鲜见国内的 相关理论或实验研究报道 。初步 的研 究表明，利用超短超强激光与 固体靶作用产生 的正 电子具有 能量高 (MeV量级)、产额高 、短脉冲 (ps或 fs量级)等同位素正电子源不具备 的优点 ，在高能量密度物理、天体物理等 领域有巨大应用前景。尽管利用超短超强激光与固体靶作用产生正电子的理论及实验研究在近年来得到了飞 速发展 ，但为了产生较为理想的正电子束 ，超短超强激光与固体靶作用产生正电子的产额 、能谱 、角分布与靶材 料 、靶厚度、超热电子的温度等之间的关系仍然是研究的课题之一。本文通过对超强激光正电子产生机制的研 究 ，建立了蒙特卡罗模拟模型和Geant4模拟程序 ，采用所建立的Geant4程序模拟研究了正电子的产额 、能谱 、 角分布与靶材料 、靶厚度、超热电子温度等参数的关系。 1 正电子的产生机制及 Geant4超热电子模型的建立 超短超强激光与固体靶相互作用时，预脉冲或脉冲前沿将 固体表面离化产生等离子体 ，主脉冲或脉冲后续 部分与等离子体相互作用通过 J×B、共振吸收、真空加热等机制沉积能量并加速产生大量的超热电子 ，超热电 子再与靶物质进一步作用产生正电子 口 ]。超热电子产生正 电子的途径主要有如图 1所示两种方式 ：(1)超 热电子直接与靶核作用产生一个正电子和两个电子 ，称为 Trident过程 ；(2)超热电子与