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维普资讯 高亮度热电子发射材料 丰 学 丹 (浙江走学信 息与 电子I程 系) 主题;t热 电子发射 阴极材科 · 内容提委 对于 电子柬仪器.一方面需要高亮度.另一方面又需经常暴露于大气.因此磐须寻找适合的热电 子发射材料.分蹦介绍了稀土盒磷的硼亿物.过渡元素的碳化物和氮化物 的热发射特性.尧度特性和寿命等.因 、 其具有高熔点 低逸出功 稳定 的化学性和较高的 电导孪。从而得知LaBi和HfC是最理想的材料.最后指出. 薄膜 阴援 的寿命 问题需经进一步深入研究. 一 大型衷空 器,如电子显微镜,与LsI和VLsI加工有关的电子束微细加工仪器以及表面 分析仪器等 ,它们对于热电子发射源 (阴极)的要求是,一方面 由于高亮度 电子束的需要,要 求高的发射 电流密度 ,另一方面 由于需经常曝露大气。因此要求阴极在常温下,大气中 其 化学性稳定。由于后者的原 因,至今较多的仍采用发射 电流密度不高的钨阴极,而不能采用 通常在真空电子器件中用的较多的活性阴极,如氧化物阴极、钍钨阴极等。因此,_必须寻找 适用于上述仪器中的新的热电子发射材料 。 一 、 热 电乎裳射特性 热电子发射阴极是最早使用的一种 阴极。固定的热电子发射规律符合Richardson—Da shmarl公式,即发射 电流密度 J与材科的逸出功 ,被加热的温度T之间有下列关系 L=AT cxp (一e印/KT) 式中,e是电子的电荷量,K是渡尔兹曼常数,A为常数,其理论值 为120安 /厘米 ·K 。 根据材料及表面状况等的不同,实铡值大多在lO 一1O安 /厘米 ·。K 之间。 由上式可见,为了获得高的发射 电流密度的阴极,需选用具有低逸出功和高熔点的阴极 材料。考虑到胡极的寿命,它的工作温度T比熔点Tv要假得多。为了比较,我们取它的蒸汽 压为一定时 (例如 10 帕)的温度T作为工作温度 。从上式可见,决定J。大 小的主要是 比值 叩/T的数值,现令作F,我们称F为品质 因素。它可用来评价材料的热发射性能。显然,品 质因素愈高,则材料的热发射 电流密度愈大。即亮度愈高。 表 1列出了某些元素的热电子发射特性 表中括号中的T值是按65%的熔 点 值 计 算 所 得。从中可见,对于单质材料来说,Ta~NW是较好的发射材料。注意到表 中Cs的逸出 功最 低 ,但 因T 也很低,F值低,故它不是一种好的热电子发射材料 。 =,硼化物、碟化均和氮化物的热裳射特性 稀土元素的硼化物,过渡元素的碳化物和氮化物,它们具有共同的特点是具有较高的熔 +1988年12月9日收到 一 27— 维普资讯 ★ 1 单 质 Tv K‘) T (K) 0(电子伏) ~/T(eW K)x1118 sf 10l5 (679) 2.59 3.81 ~ Y 1775 ‘ (I15‘ 3.1o 2.66 Zr 2123 (1380)

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