氧化物半导体气敏传感器的改性研究进展.pdfVIP

: 朱 琴 等 氧化物半导体气敏传感器的改性研究进展 　 １７０１７ 文章编号: ( ) １００１-９７３１ ２０１４ １７-１７０１７-０５ 氧化物半导体气敏传感器的改性研究进展∗ １ １ ２ １ １ , , , , 朱 琴 张裕敏 胡昌义 张 瑾 柳清菊 　 　 ( , ; １．云南大学 云南省高校纳米材料与技术重点实验室 昆明 ６５００９１ , ) ２．稀贵金属综合利用新技术国家重点实验室 昆明 ６５０１０６ : 、 , 摘 要 氧化物半导体气敏传感器具有灵敏度高 制 活性位有利于各种不同气体的吸附 因而可以提高选 　 　 、 、 , . 造成本低 信号测量手段简单 使用方便等优点 在有 择性 [ ] ５-７ . : 毒有害气体实时监测方面极具应用潜力 综述了新型 关于掺杂剂的作用机理主要存在两种 一种是 、 , 氧化物半导体气敏感器改性的研究进展 存在的问题 电学机理 认为掺杂剂在其氧化态时作为强的电子受 及发展趋势. , , , 体 在界面处形成电子耗尽层 与还原性气体反应时 : ; ; ; , 关键词 氧化物半导体 改性 气敏传感器 研究进展 掺杂剂被还原从而释放电子到基体氧化物中 导致表 　 中图分类号: 文献标识码: , 　X５０２ A 面势垒高度的改变从而使基体氧化物的电导改变 基 : / , / , / DOI １０．３９６９ ．issn．１００１-９７３１．２０１４．１７．００３ 体氧化物仅仅作为转换器 如 A A PdO Pd 和 j g g