掺锆氧化锌透明导电薄膜的制备及特性研究.pdfVIP

IZ技术与材料 掺锆氧化锌透明导电薄膜的制备及特性研究 刘汉法，张化福，类成新 ，袁长坤 (山东理工大学 物理与光电信息技术学院，山东 淄博 255049) 摘要 ：利用射频磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上成功地制备 出了掺锆氧化锌 (ZnO：Zr)透 明导电薄膜。研究了溅射功率对ZnO：Zr薄膜结构、形貌和光电性能的影响。研究结果表明，溅 射功率对ZnO：Zr薄膜的结构和电阻率有显著影响。x射线衍射 (XRD)表明，ZnO：Zr薄膜为六 角纤锌矿结构的多晶薄膜 ，且具有 c轴择优取 向。在溅射功率为 150W时，实验获得的ZnO：Zr 薄膜电阻率具有最小值 3．8×100n·cm。实验制备的ZnO：Zr薄膜具有 良好的附着性能，可见光区 平均透过率超过92％。ZnO：Zr薄膜可以用作薄膜太阳能电池和液晶显示器的透明电极。 关键词：掺锆氧化锌；透明导电薄膜；磁控溅射；溅射功率 中图分类号：O484．1；TN304．2 文献标识码：A 文章编号：1003-353X (2008)11．0991．04 DepositionandPropertiesofTransparentConducting Zirconium-DopedZincOxideFilms LiuHanfa，ZhangHuafu，LeiChengxin，YuanChangkan (SchoolofPhysicsandOptci-ElectronicInformation，UniversityofTechnologyofShandong，Zibo255049，China) Abstract：Transparentconductingzirconium—dopedzincoxidefilmswithhJshtransparencyandrelatively low resistivityweresuccessfullypreparedbyradiofrequencymagnetronsputteringatloom temperature ．The effectofsputteringpoweronthestructures，morphologiesandoptic-electronicpropertiesofZnO：Zrfilmswas investigated．Th eexperimentalresultsshow thatsputteringpowerisallimportantfactortothecrystal structure andoptic—electronicpropertiesofZnO：Zrfilms．XRD studiesreveal thatallthefilmsarepolycrystallinewitha hexagonal structureandapreferredorientationalongtheC—axis．Th elowestresistivityachievedis3．8×10一 Q。em atasputteringpowerof150W ．Allhtefilmspresentahightransmittanceofabove92％ inthevisible range．ZnO：Zrfilmswithhightrnasparencyandrelativelylowresistivitydepositedatroom temperature willbe usedastrnasparentelectrodeinthinfilm solarcellsnadliquidcrystal display． Keywords：zirconium—dopedzincoxide；transparentconductingfilms ；magnetronsputtering；sputtering power EEACC ：4200：2500 性能