单晶硅加工裂纹的离散元仿真研究.pdfVIP

单 晶硅加工裂纹的离散元仿真研究——谭援强 杨冬 民 李 才等 单晶硅加工裂纹的离散元仿真研究 谭援强 杨冬民 李 才 盛 勇 1．湘潭大学，湘潭，411105 2．利兹大学，利兹，LS29JT，英国 摘要：通过力学性能数字试验模拟及校准，建立 了单晶硅的离散元模型。基于该模型对单晶硅微加 工过程进行 了动态模拟，分析 了不同切 削速度 、切削深度及刀具前角等对加工后表面裂纹情况及切屑形 成的影响，结果表明：加工后表面裂纹的数 目及其最大深度均随刀具前角的增大而减小，而随切 削速度 及切削深度的增大而增大；切削速度越高，切削深度对加工表面的质量影响越大；随着刀具由正前角变 为负前角，刀具前方特别是刀具下方的材料损伤程度逐渐增大，在前角变至 0。之前，刀具下方的材料损 伤程度基本上保持不变，而当前角变为一15。时，刀具下方的材料变形程度显著增大。 关键词 ：单 晶硅 ；加工；裂纹 ；离散元 ；仿真 中图分类号 ：TG58 文章编号 ：1004 132X(2008)21—2545一O4 DiscreteElementM ethodSimulationofCracksinM onocrystallineSiliconMachiningProcess TanYuanqiang YangDongmin LiCai ShengYong 1．XiangtanUniversity，Xiangtan，Hunan，411105 2．UniversityofLeeds，Leeds，LS29JT，UK Abstract：Discreteelementmode1ofmonocrysta11inesiliconwasconstructedandcalibrated．Based onthemodel，thedynamicprocessofmicro—machining ofsiliconwassimulated，and theeffectsof differentcuttingspeeds，cuttingdepthsandrankanglesontheformationofsurfacecracksanddebris werealsoanalyzed．Resultsshow thatbothofthesurfacecracknumberandmaximum depthincreases withincreaseofthecuttingspeedandcuttingdepth，whiledecreasesastherakeangleincreases；when therakeanglebecomespositivefrom negative．thedamagezonewhichiSunderandinfrontofthetool graduallyincreases；thedamagelevelofsiliconareremainedwithoutchangesbeforetherankangleis changedto0。．butthedamagelevelbecomesdramaticallyheavywhentherakeanglereachesto一 15。． Keywords：monocrystallinesilicon；machining；crack；discreteelement；simulation 0 引言 究切削区和磨粒一工件接触区的微观结构和已加 硅片作为集成 电路最重要的衬底材料 ，其需 工表面的完整性 ，还可 以分析切削过程的温升及 求量在全球范围内逐年增加 。将单晶硅棒转变成 切削温度场 ，研究纳米切削时的材料去除机理 、表 硅片需经过外圆磨削、定 向面磨削、粘接、切片、研 面形成机理、微观物理现象和预报极限加工精度， 磨、倒角加工、腐蚀、粘接、抛光等工序 ，每道工序 以及材料脆性去除和塑性去除机制的转变口]。2O 之间还需要很多外围技术 ，其 中许多工序会对单 世纪 9O年代以来 ，分子动力学仿真技术逐渐被应 晶硅产生机械损伤，而亚表面裂纹 的深度和形状