氧含量与溅射气压对NiO薄膜形貌和结构的影响.pdfVIP

氧含量与溅射气压对NiO薄膜形貌和结构的影响 曾玉琴 ，杨 艳 ，余 忠 ，孙 科 ，朱光伟 ，许志勇1，兰中文 (1．电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川成都 610054； 2．成都工业学院 通信工程系，四川成都 611730) 摘 要：利用直流反应磁控溅射在o2和Ar混合气氛下，在si(1l1)衬底上沉积NiO薄膜，采用x射线衍射 仪(XRD)和扫描电子显微镜(sEM1对薄膜晶体结构及形貌进行分析，研究了氧含量和溅射气压对NiO薄膜择优取 向和表面形貌的影响。结果表明：低氧含量下，NiO(220)#n面择优生长，薄膜表面为典型的蠕状结构；较高氧 含量下，薄膜择优(111)晶面生长，织构呈现有序状态；随着溅射气压的增高，择优取向先变差再变明显，薄膜 晶粒先增大后减小。 关键词：NiO薄膜；氧含量；溅射气压；微观结构；形貌；择优取向 中图分类号：0484．43 文献标识码：A 文章编号：1001．3830(2014)03—0001-04 Influenceofoxygencontentandsputteringpressureonthemorphology andmicaostructureofnickeloxidethinfilms ZENG Yu．qin，YANG Yan ，YU Zhong，SUN Ke，ZHU Guang—wei，XU Zhi—yong，LAN Zhong．wen ，．StateKeyLaboratoryofElectronicThinFilmsandIntegratedDevices，University ofElectronicScienceandTechnologyofChina,Chengdu610054,China,~ 2．DepartmentofCommunicationEngineering,ChengduTechnologicalUniversiyt,Chengdu611730,China Abstract：Nickeloxide iO)thinfilmsaredepositedonSi(111)substratebyDC reactivemagnetron spuReringtechniqueunder02andArmixedgas．Crystalline structureand surfacemorphology ofthefilmswere characterizedwithX—raydiffraction(XRD)nadscanningelectronmicroscopy(SEM)．Theinfluenceoftheoxygen contentnadsputteringpressureonpreferredorientationnadsurfacemorphologyofNiO filmsarestudied．Theresults indicatethatthepreferredorientationcouldbechangedfrom(220)to(111)withtheincreaseofoxygencontent，andhte textureoffilmswiht (220)preferredorientationhasworm-likestructure，whilethecrystallinegrainofhte(111) preferredorientation filmswerergown along the same direction．As sputteringpressure increases，thepreferred orientationfirstdeterioratesnadthenimprovesnadthecrystallinergainsizefirstincreasesnadthendecreases． Key words：NiO films； oxygen content； sputteringpressure； microstructure； morpholoyg； preferred orientation 1引言