应变Ge价带结构与E(k)~k关系研究.pdfVIP

摘要 摘要 件和集成电路中有极大的应用前景，在未来半导体行业中的发展起着举足轻重的 作用。 速／高性能器件和电路的重要理论基础。目前，有关应变Ge能带结构的理论研究 鲜有报道。因此，开展应变Ge材料能带结构等基础理论研究对应变Ge技术的应 用有重要理论意义和应用价值，可为后续相关研究提供理论基础。 本论文基于薛定谔方程，在研究应变哈密顿微扰的基础上，考虑应变产生的 型。根据应变Ge的价带结构E(蚺咄关系模型，通过相应的数值计算，获得SiGe 虚衬底上压应变Ge的价带色散关系，得到价带在应变下的变化以及各晶向有效 质量的变化。通过与文献比较可知，本论文计算结果准确，能带在应变下变化趋 势也相同。 本文的研究结果表明，弛豫Ge有效质量具有各向异性；在双轴压应变作用 下，应变Ge的价带发生分裂，重空穴带上移成为带边，轻空穴带下移成为亚带 边，这将导致禁带宽度相应减小。有效质量根据晶向的不同，在应变条件下也发 生不同的变化。所以，可以根据不同的应用要求，利用应变来构造能带结构和获 得高性能的材料。 基于机械致单轴应变SOI的工艺原理，利用自制的机械弯曲台，本论文还进 SOI的表面粗糙度为7．8nm，应变量达到了0．077％。 关键词：应变Ge价带结构E(k)-,-k关系k-p微扰法SOI 应变Ge价带结构的E(k卜k关系研究 Abstract Abstract is thestrainedGematerialinthe Therea of greatapplicationprospect high—speed and devicesandcircuits、析thits of than highermobility high-performance advantages strainedSiand traditionalsilicon will a compatibletechnology、)I，ith processing．Itplays roleinthefuture ofthesemiconductorasthebestchannel pivotal development industry materialfor22ninandlowersizeSiCMOS． Theband oftheresearchonthebaseattributeand structureisthetheoreticalbasis and the ofthe and devices design high—speedhigh-performance havebeenfew resultsforthebandstructureofthestrainedGematerialst0 reposed up now．Thereforethe onthebasic asband essential study theories，suchstructure，has theoretical and