宽带隙缓冲层CuI薄膜的制备和性能研究.pdfVIP

阎有花等：宽带晾缓冲层CuI薄膜的制备和性能研究 宽带隙缓冲层CuI薄膜的制备和性能研究。 阎有花，卢志超，周少雄，李正邦 (中国钢研科技集团公司安泰科技股份有限公司，北京100081) 摘要： 采用喷射沉积工艺在普通玻璃和CulnSz 2 实验 (CIS)基底上制备出可见光区域平均透过率达78．9％， 沿[111]晶向择优取向生长，具有7态立方闪锌矿结构 喷射沉积技术，是液体流雾化和喷射沉积成膜集 成在一个操作流程中制备薄膜的新工艺技术。即将碘 的CuI薄膜。采用喷射沉积制备CuI薄膜是一种有益 的尝试，宽带隙结构的CuI薄膜作为缓冲层不仅能增 化亚铜(CuI)和碘(I。)混合物溶于乙腈溶剂中配成溶 加可见光范国内蓝色波段利用率，而且价格低廉、无 液，采用空气雾化喷嘴使压缩空气流和液体流互相影 毒，所获结果对实际工艺条件的选择具有一定借鉴作 响而产生薄雾，直接喷射到基底上，加热基底加速乙腈 用和参考价值。 挥发，使CuI沉积成膜。本文选用CIS衬底和玻璃基 t 关键词：CuI薄膜；喷射沉积技术；缓冲层 底，CuI含量和I。掺杂量固定为101．考察了CuI含 中图分类号：0484 文献标识码：A 文章编号：1001-9731(2009)增刊-0535-03 1 引 言 缓冲层不仅能调整吸收层／窗口层界面上的晶格 形貌；D8 匹配，还能使吸收层免受破坏、改善电池的能带结构、 的衍射图谱，X射线源为Cu靶Ka射线，波长A= 调整界面处费米能级(EF)的位置[1]。目前。采用化学 水浴法制备的CdS缓冲层应用CulnGaSe2薄膜太阳紫外可见光分光光度计(Uv-vis)进行光谱的测定，波 能电池，其光电转换效率已达19．5％而保持世界记 长范围为300900nm。 录。但Cd对环境的污染和对操作人员的健康危害如 3结果与讨论 何防范，是一个难以解决的环保问题，选择合适的CdS 的替代材料成为各国研究的热点。目前，可替代CdS 3．1 CuI薄膜的相结构 图1示出不同CuI含量所制薄膜沉积在玻璃基底 缓冲层的材料主要有ZnS、ZnSe、ZnO、In(OH)3、 In2s3、In2Se3、CuAl02、Cul、CuSCN和CuS等睇]。其 中，CuI是新型的宽禁带半导体材料(3．0eV)(大于 CdS的禁带宽度2．42eV)，这种宽的带隙结构能增加 对可见光范围内蓝色波段利用率(蓝移)[3]。2004年， Winkler等[4]研究表明宽带隙CuI薄膜作为缓冲层， 结构为Cu-tape／n-CuInSz／p-CuI／ZnO太阳电池其光 电转化效率可达9．2％。Konovalov等D]研究了CuI／ 强，表现出沿[111]晶向择优取向生长，对应于7态立 CuInSz界面的X射线光电子能谱(XPS)，结果显示。 CuI与CuInSz界面问不存在价带偏移，CuI／CulnS：的 导带存在峭壁，载流子的主要复合机制是隧穿复合。 因而，研究宽带隙缓冲层CuI薄膜的制备工艺及性能 具有现实意义。 CuI作为一种新型的缓冲层材料．其生长工艺和 CuI(111)衍射峰强度的相对强弱和半高宽直接反映了 性能参数尚不成熟，有必要系统的研究工艺参数对 CuI薄膜生长的影响。本文采用适合于产业化、高效、 于形成缺陷较少、结晶更为完整的CuI薄膜。 快捷的喷射沉积技术，考察了CuI含量对Cul薄膜性 图2示出不同CuI含量所制薄膜沉积在CIS基底 能的影响，所获结果对实际工艺条件的选择具有一定 的SEM照片。由图2可知，不同CuI含量所制薄膜呈 借鉴作用和参考价值。