晶体硅太阳能电池的缺陷检测及分析.pdfVIP

第 12 届中国光伏大会暨国际光伏展览会论文（晶体硅材料及电池） 晶体硅太阳能电池的缺陷检测及分析晶体硅太阳能电池的缺陷检测及分析 晶体硅太阳能电池的缺陷检测及分析晶体硅太阳能电池的缺陷检测及分析 李召彬 李召彬 王祺王祺 丁娈丁娈 季亦菲季亦菲 李召彬李召彬 王祺王祺 丁娈丁娈 季亦菲季亦菲 （中电电气（南京）光伏有限公司 211100 ） 摘要摘要：针对晶体硅太阳电池缺陷的检测问题，利用多种测试设备（EL 、PL 、Corescan 摘要摘要 等），在电池制作的主要工序段（扩散、镀膜、印刷、烧结）对硅片和电池片进行检测，归纳 和总结了电池的各种典型缺陷的成因，利用这些检测手段和分析结果，能够及时有效地反馈 生产过程中产生的缺陷类型，有利于生产工艺的改进和质量的控制。 …PC 关键词关键词：晶体硅太阳电池 缺陷 检测 分析 关键词关键词 1、引言、引言 1100nm 的光子，光子被灵敏的 CCD 相机捕 、、引言引言 [1] 获，得到硅片的辐射复合图像 。 在大规模应用和工业生产中, 晶硅太阳 能电池占主导地位，其在制造过程中通常采 用制绒、扩散、刻蚀、PECVD 、印刷、烧结 几道工序，由于一些机械应力、热应力及人 为等不稳定因素的存在，会不可避免的造成 硅片的一些隐性缺陷如污染、裂纹、扩散不 均匀等，这类缺陷的存在大大降低了电池片 Fig.2-1 光致发光 2.2 电致发光（电致发光 （EL ）） 的光电转换效率，导致公司增加经济损失。 电致发光电致发光 （（ ）） 利用多种测试设备如 EL、PL、corescan 等检 EL 与 PL 工作原理相似，但不同之处在 测硅片、半成品电池及成品电池存在的各种 于激发非平衡载流子的方式不同，即在电池 隐形缺陷，改善工艺参数，降低产品的不合 的正向偏压下，注入非平衡载流子（Fig.2-2 ）。 格率，为公司提高成品率，大大的降低成本。 2 、检测设备、检测设备工作原理工作原理 、、检测设备检测设备工作原理工作原理 2.1 光致发光（光致发光 （PL ）） 光致发光光致发光 （（ ）） PL 是检测原材料的有效方法，如 Fig.2-1 所示，以大于半导体硅片禁带宽度的光作为 Fig.2-2 电致发光 2.3 微波光电导衰减微波光电导衰减法法（（u-PCD ）） 激发手段，激发硅中的载流子，当撤去光源 微波光电导衰微波光电导衰减减法法 （（ ）） 后，处于激发态的电子属于亚稳态，在短时 u-PCD 主要包括 904nm 的激光注入产生 间内会回到基态，这一过程中会释放波长为 电子-空穴对（Fig.2-3a ），导致样品的电导率 1 增加，当撤去外界光注入时（Fig.2-3b ），电 2.5 串联电阻扫描（串联电阻扫描 （Corescan ）） 串联电阻扫描串联电阻扫描 （（ ）） 导率随时间指数衰减，这一趋势间接反应少 Corescan 的扫描头包含一个光源和金属 数载流子的衰减趋势，从而通过微波探测电 探针（Fig.2-5 ），扫描过程中，将电池片短路 导率随时间变化的趋势得到载流子的寿命。 连接,扫描头以固定的扫描间距、速度移动，