ZnSe多量子阱横向磁阻地无接触测量.pdfVIP

Z,nSe多量子阱横向磁阻的无接触测量 王宗劂1’ 楮幼令∞ 胡古今(∞ (1复旦大学电子工程系，上海200433) (2复旦大学物理系，上海200433) 7 郑国珍 (中科院上海技术物理研究所红外物理国家实验室，_L海：200083) 一、引言 测量单量子阱(”、双量子阱“’在磁场中的电阻是用于研究二维电子气(2D)系统的 一种重要方法。 单层和多层结构超晶格的磁阻测量和计算o’“’是研究这些材料磁输运机理的又一 种重要方法．近年来．对各层之间被金属或非金属原予相间的超晶格的磁阻的研究“’·还 由于这里面包含着很多工业和传感器应用的可能性。 无接触测量外延层材料的横向磁阻“’并由此计算外延层中载流子浓度和迁移率的方 法是一种很方便和实用的方法，由于不需要制作欧姆电极、无破坏性，并且测试结果和常 dcr 规的Van Pauw法基本一致，因此这种方法对测量单量子阱、多量子阱的磁阻也是极为 有用的． 本文用无接触法测量了生长在半绝缘GaAs村底上的znse外延层和两种ZnSe多量子阱 样品的磁阻。测量结果表明ZnSe外延层、ZnSe多量子阱的横向磁阻仍然为负磁阻，但在量 子阱问间稀了金属单原子层后，样品的总磁阻中还迭加了金属单原子层的磁阻。 二、样品 Zns《Ca) ZnS《Ga) se+ l——飞■■G—a—一 上 i——1五百■一 4 m (a) (b) (C) 图lznSc外延层和zlISc多量子阱样品结构 用MBE方法生长在半绝缘CraAs衬底上的2硒e外延层和两种ZnSe多量子阱样品的结构 层孙Se之问为单层的Z．n+Cra,村底厚度为6001．tm． 三、横向磁阻的无接触测量 横向磁阻，并由此计算出外延层中载流子的浓度和迁移率。这种方法对样品无损伤，也 不需要切割样品，测试面积为4×4ramz，并且所得结果和常规的需作欧姆电扳的v柚d贯 Pauw法基本一致．用同样的测试装置，我们测量了圈l中三个样品的横向磁阻(磁场方 37 向垂直于样品表面)，结果表明：在低磁场时，这三种样品都表现为负磁阻，如图2，3 4所示。 O．05 O ． 。厂——_ l 呲＼o．4／嘶 08 —O．05 ： 一O．1 V ∞u￡对u幻叫奶∞ko_∞嚣逝对王 一O．15 Field(Tesla) Magnetic versus Fig．2Magnetoresistancemagnetic fieldforZnSe：Ga epitaxia]layer 静．05 ． ． ．．，一． 苫0 !可o．4／厂磊o．8