CdS纳米晶薄膜的制备与其光电化学性能的研究.pdfVIP

2006年全国太阳能光化学与光催化学术会议专辑 CdS纳米晶薄膜的制备及其光电化学性能的研究 贾会敏，艾智慧，贾法龙，张礼知‘ 华中师范大学，化学学院，农药与化学生物学教育部重点实验室，武汉，430079 关键词：CdS；纳米薄膜；光电性能 分类：太阳能光电化学电池的制备、组装及应用开发研究 1引言 II．Ⅵ族半导体材料CdS薄膜因其对可见光敏感，是一种重要的光敏半导 体，被广泛应用于光电子学领域．在光伏转换方面，CdS作为直接能隙半导体， 其带隙约为2．42eV，是一种良好的窗口层材料和过渡层材料，在太阳能电池、传 感器、光探测器、激光材料、光波导器件和非线性集成光学器件等领域具有广 阔的应用前景。CdS薄膜的制备方法主要有真空热蒸发、溅射[11、激光蒸发‘21、 制备了CdS纳米晶薄膜，并研究了不同的煅烧温度对CdS薄膜电极光电性能 的影响，从而找出最佳的实验条件。 2实验部分 2．1CdS膜电极的制各 以硫化钠和氯化镉为原料水热条件下制得CdS粉末，然后将粉末放入研钵 中，加入添加剂研磨至膏状，将其均匀涂覆在ITO导电玻璃上。将制备的CdS膜 在空气中不同的温度下煅烧30分钟。 2．2CdS膜电极的光电性能测试 以模拟太阳光为光源，在标准的三电极体系中进行测试。其中CdS膜电极作 mol／L 为工作电极，铂丝作为对电极，Ag／AgCl电极为参比电极，O．2 液作为电解液。 3结果讨论 3．1XRD分析 件下CdS已开始氧化，而且此时CdS纳米颗粒也可能出现团聚现象。 3．2CdS膜电极的I-v曲线分析 膜电极的光电流却迅速的降低，其原因主要是CdS纳米颗粒的氧化及其团聚，而 2006年全国太阳能光化学与光催化学术会议专辑 且在此温度下处理后，ITO导电玻璃的导电性也会有所降低。因此，CdS膜电极 在380℃的煅烧温度下可获得最佳的光电池性能，电池参数为：短路光电流Isc= 3．5 1rnA／cm2，开路光电压Voc=0．50 =2．2％． 3．3CdS膜电极的光谱图分析 500．600nm，且在500nm处有最大吸收，说明这两者的结果是一致的。 (，E。，vIu)誊∞co口芒墨云耋山 图l不同煅烧温度制备的CdS膜的I．V曲线 图2 380℃条件下煅烧的CdS膜电极的在不 同波长下的光量子转化效率图 0)300℃；(b)350C；(c)380C；(d)450C 参考文献： State 【l】T．L．Chu，S．S．Chu，SolidElectron．，38(1995)533． Sr．，L．P．Fu， Solid A．Petrou,Thin Films，218(1992)157． Solid 【3】T．Edamura，J．Muto，ThinFilms，235(1993)198． and 【4】J．Y．Choe，K．J．KilIl，D．Kim，MetalsMater．，3(1997)265． 338