G652.D光纤在长波段传输损耗研究.pdfVIP

技 术 篇 第六届中国通信光电线缆产业峰会 ◆ G652．D光纤在长波段的传输损耗研究 秦钰 吴椿烽 陶伟 沈一春 钱宜刚 中天科技精密材料有限公司 摘要：通过对光纤损耗机理进行了深入分析，并采用VAD工艺调整Ge02含量和芯层直径，分析了制备过程中 GeCl4流量和芯层直径与瑞利散射的关系。实验结果表明，G652．D光纤的瑞利散射随着GeCh流量及纤 芯直径的增加而增加，且掺Ge量的影响大于芯径变化的影响。 关键词：低损耗；吸收：瑞利散射：超长距离传输；VAD 0 引言 其中尤为值得一提的是，高速传输对于光纤网络提出了更低的传输损耗的要求。对于400G的传 输速率，低损耗光纤能减少约20％的再生站数，超低损耗光纤能减少约40％的再生站数…，在提 高通信系统可靠性的同时也节约了大量建设和维护资金，因此，选择传输损耗更低的光纤成为延 长光传输距离的主要途径之一12j。 因为瑞利散射，因此降低瑞利散射为制造低损耗光纤的理论支撑。本文分析讨论了G652．D光纤 的瑞利散射损耗机理，即Ge02掺量及芯层直径与瑞利散射的关系。 1 理论研究 光纤的损耗主要来自光纤材料对光的吸收与散射。吸收损耗包括红外吸收、紫外吸收以及OH一 等杂质对光的吸收。 如果不考虑非线性的拉曼散射与布里渊散射，光纤的散射损耗主要来自光纤材料密度的微观 变化，如Ge02浓度分布不均匀等，以及在制造光纤过程中芯包界面出现的结构缺陷、气泡／气线 等引起的散射损耗。 基于目前实际制造情况，光纤中的OH一离子浓度降低到10母的水平，光纤预制棒制造和拉丝 过程引起的缺陷，可通过工艺得到进一步完善，且在1550nm波长的紫外吸收非常小，因此上述 吸收损耗可不作考虑，即光纤的损耗可表示为， 研一啦÷国t 其中，哑表示光纤的红外吸收，嗵表示瑞利散射损耗，而红外吸收损耗可以用表达式(2)表示‘3] ◆第六届中国通信光电线缆产业峰会 技 术 篇 嗽一譬嚣嘁一羹》 (2) 表达式(2)中系数B、懂为光纤材料本身的特性，对石英玻璃而言，B与“分别取6．65×1012dB／km 和52．62Irtm吲，当波长～定时(1550rim)，红外吸收损耗计算得堍譬文阻2d脚，故表示为， 暂。艇鏖盛黼镪 (3) 普通G652．D光纤预制棒，其瑞利散射与相对折射率趣的关系‘5“1为表达式(4) 峨2素卮毒Q+毒4抵n (4) 式中，r为功率限制因子，40是未掺杂Ge02的Si02的瑞利散射系数，由文献‘71可以表示为， 砖矗。TM2,rgZ评嗲‰霉々 (5) 其中聍、P、缸、∥、弓分别为材料的折射率、光弹系数、玻尔兹曼常数、绝热压缩比及玻璃假想 温度。Ao与玻璃假想温度孓成正比，因此降低拉丝温度将有效降低瑞利散射系数且c[引，此外瑞利 散射系数还与拉丝张力，拉丝速度等因素有关‘91，这里就不再讨论，我们取为常数，通常为 0．8dB／(km．um-4)。 因此，瑞利散射可表示为， 锶一六墓翱(重÷4毒执辨 (6) 式中，r与单模的传输常数8和相对折射率差△玉的关系如下， 陋瓣【l+ (7) 其中， ‰昌等-矿昌蒂擞一雾譬l·趣=帮(见图1) 图1 VAD法制备的预制棒芯棒折射率剖面 技 术 篇 第六届中国通信光电线缆产业峰会 ◆ 将上述式(7)带入表达式(6)中，得到的瑞利散射损耗为， 峨一素