原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
分子束外延层中橄榄型缺陷的研究
刘 岩 任殿胜 刘文森
北京通美晶体技术有限公司，北京 101113
摘要：本文主要论述了用分子柬外延(MBE)生长的砷化镓层的缺陷的种类，采用表面尘埃测试仪、扫描电子显微镜(SEM）、全色
阴极发光(PanchromaticCLimages)和空间分辨荧光仪(SPRL)研究缺陷的形貌、几何尺寸和光学性质，进一步分析了产生原因、影
响因素及预防措施。
关键词:分子束外延；GaAs；缺陷；预防措施
AstudyonovaldefectsofMBEGaAslayer
YahLiuDianshengRenWensenliu
BeijingTongmeiXialTechnologyCo.,LtdBeijing,101113,China
Abstract:ThetylesofdefectsinGaAslayerthatgrownbymolecularbeamepitaxial(MBE)methodsurfacewerebrieflydiscussedin
thepaper.Somemodemsurfaceanalyticaltechniquessuchassurfacedusttestinginstrument,scanningelectronmicroscopy(SEM),
Panchromaticcathodeluminescence(PanchromaticCL),spatiallyresolvedphotoluminescence(SRPL)wereusedtostudythe
morphology,sizeandopticalpropertiesofdefect.Theoriginofdefects,influencefactorsandsomeprecautionarymeasurementswere
alsointroduced.
Keywords:MBE；GaAs；defects；origin；precautionarymeasurements
，F叶¨¨●，●硼钉●■，半—L俸、■I翻‘●—巾光—l●l件■蝽●-∞L
的污染，其二是V族元素的污染。 线，不发光的地方是缺陷的中心。
详细信
辫『：一 。__，
，一 『=一
避鬻 ▲
_j ■_圈_
纂一荃鬻黪。。曲¨L-_-
图1外延生长晶片的表面缺陷的分类(a)有核的橄榄缺陷(b)图3缺陷的扫描电子显徽镜图像(a-c)单个的缺陷(d)一组
酰豢。一■一
相对小的核的缺陷(c．d)相对大的核的缺陷“1 缺陷‘：1
found
Gacdlrelatedovaldefectswith decmm ofovaldefersonthe
Fig．I．The a∞qre：(a)’(b)-defectsFig．3．S‘潮1ning micmgmphs
with small with surfaceofGaAs indivi‘lual
relaljvelycores；(c)，(d)-defectsrelativelybig homoc删Mlay盯．Selected defects-a，
m
obits15]．
文档评论（0）