钒掺杂半绝缘6H-SiC的电子顺磁共振与吸收光谱研究.pdfVIP

钒掺杂半绝缘6H．SiC的电子顺磁共振 和吸收光谱研究 王超，张义门，张玉明，王悦湖，徐大庆 (西安电子科技大学微电子学院；宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安710071) 摘要：对掺积硅长半绝缘6H．SiC中钒杂质能级的补偿机理进行了研究。二次离子质谱分析结果 表明，氮是SiC中主要存在的浅施主杂质，掺入的识杂质通过束缚氮施主上的自由电子完成补偿作 用，形成深的钒爱主能级，得到具有半绝缘特性的SiC单晶。通过低温电子顺磁共振和低温吸收光 谱测量，发现在SiC中同时存在钒的中性态m和受主态fvl，证明掺入的钒杂质在SiC中最初以 中性态存在，完成补偿作用后以受主态存在。低温吸收光谱测试结果表明，在6H-siC中钗受主能 e_V处． 级位于导带下0．60—o．62 关键词：碳化硅；半绝缘；积掺杂；补偿 1引言 工作在微波频率下的低功耗SiC电子器件需要一个良好的半绝缘SiC单晶衬底【ll。由于具有高的热导 率，以及与GaN较小的晶格失配，半绝缘SiC也成为异质外延ClaN电子器件最好的衬底材料【2】。在生长 SiC时，环境中掺入的氮和硼在SiC中分别作为浅施主和受主杂质存在，因此任何非有意掺杂得到的SiC 均表现出导电特性。由于在高温生长过程中很难抑制氮元素和硼元素的掺入■，因此对SiC而言，很难生 长出高纯度的高阻材料。在siC中掺入杂质钒形成深能级，通过补偿浅的氮施主或硼受主能级，可以得到 常温下具有半绝缘特性的SiC材料㈣。钒在SiC中占据Si位，是两性的深能级杂质，可能存在三种电荷 受主杂质存在，钒掺杂SiC的补偿机理强烈依赖于背景导电类型表现为P型或11型。借助变温霍尔或变温 电阻测量可以计算出杂质激活能【7】，并由此推断钒在SiC中的补偿机理。然而，在高阻SiC表面很难形成 良好的欧姆接触，因此测量结果存在较大偏差。 本文对掺钒生长的半绝缘6H．SiC中杂质钒的补偿机理进行了研究。采用二次离子质谱(Sm俗)对杂质 浓度进行了分析，借助电子顺磁共振四)R)和傅立叶变换近红外吸收光i数FTIR)，研究了杂质钒在SiC中存 在的电荷状态，并计算出钒受主能级在6H-SiC禁带中的能级位置。 2实验 实验采用物理气相运输法生长的钒掺杂半绝缘6H-SiC单晶，电阻率为l护Qtin。借助法国CAMECA 公司的IMS-4F型SIMS测试仪对杂质浓度进行分析，以10．5keV的02+为一次离子，束流为luA，扫描 面积为250邮x250¨m，二次离子信号来自扫描面积中心60岫直径的区域内。Ⅱ，R分析在德国Bmk盱 K。借助德国Bruker 公司Ⅸt20阻SRC型电子顺磁共振波谱仪上完成，对样品使用液氮降温，测量温度为77 公司IFS．120HR型傅立叶变化近红外光谱仪(F丁豫)对样品进行了吸收光谱分析，仪器配置为钨灯光源、InSb K。 探测器及CaF分束器。测试过程中样品置于液氦温度条件下的低温保持器中，测量温度为12 NationalNaturalScienceFOUBd撕OO NationalBasicResearch FI“l缸咂Item：Project鲫卯0fled姆tk ofCIma(No．6037600D,the KcyPl℃移mofⅫnis时0f尉咖a血吼№1061黝 3结果与讨论 对样品中的杂质浓度分布进行SIMS测试．结果如罔1所示。由图可知，在2岫的测试深度范围内， 主要存在三种掺杂杂质：钒，氮和硼，且它们沿纵向分椎非常均匀。由此可以推断，掺入的钒在SiC中分 布均匀，aT阻有教起到深能级杂质的作用。氨和硼作为主要的剩余杂质，掺杂浓度分别为2】‘【0¨cm和 6x10”耐。由于氮杂质浓度大于硼杂质浓度，因此霜受主杂质能级补偿了部分的氮施主杂质能缀，stc 的背景导电类型表现为浅的氮施生杂质起主要作用的re型。钒的浓度为2,7x10”cm’，略低于它在SiC中 的最大溶解度(约为}5×10”cln’”】。由此可以推断，掺入的杂质钒通过补偿剩余