多弧离子镀制备TiN-Cu共沉积复合膜研究.pdfVIP

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V01.41 第41卷第10期 材料保护(增刊) No.10 2008年10月 MaterialsProtection Oct.2008 多弧离子镀制备TiN—Cu共沉积复合膜的研究 穆静静1一。王从曾2.王国刚‘.马捷2。郑国龙2 (1。电站技术研究所中国电力科学研究院北京100070; 2.北京工业大学材料科学与工程学院北京100124) [摘要】 采用多孤离.子镀技术制备了TiN—Cu共沉积纳米复合膜,对其断口形貌、相组成、择优取向、 的影响。 【关键词】 多弧离子镀;TiN—Cu共沉积复合膜;纳米晶;择优取向 【中图分类号]TGl74.444[文献标识码】A ResearchonTIN—-Cu films multi-—arcion CO—-deposition preparedby plating composite 2 MU WANG WANGMA ZHENG Jing—jing1”,Cong—zeng2,Guo—gang1,jie 2,Guo—long Station ElectricPowerResearch 100070,China; (1.Power TechnologyDivision,China Institue,Beijing ofMaterial of UniversityTechnology,Beijing100124,China) 2.College ScienceEngineering,Beijing Abstract:TiN—Cu multi—arcion the co—depositioncompositefilms赋pI℃pal爿by plating,and films andaria- of orientationandhardnessof were morphology,structure composite observed,measured phase,preferred showsthatTiN—Cu films multi—areion is tothe8U- result lyzed.The co—depositioncompositepreparedby platingup than thelevelof of TiN sizeinthefilmsis less 15nm,achievingnanocrystal; pedutrdness40.8GPa;Thegrain commonly fdmhardne

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