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V01.41
第41卷第10期 材料保护(增刊) No.10
2008年10月 MaterialsProtection Oct.2008
多弧离子镀制备TiN—Cu共沉积复合膜的研究
穆静静1一。王从曾2.王国刚‘.马捷2。郑国龙2
(1。电站技术研究所中国电力科学研究院北京100070;
2.北京工业大学材料科学与工程学院北京100124)
[摘要】 采用多孤离.子镀技术制备了TiN—Cu共沉积纳米复合膜,对其断口形貌、相组成、择优取向、
的影响。
【关键词】 多弧离子镀;TiN—Cu共沉积复合膜;纳米晶;择优取向
【中图分类号]TGl74.444[文献标识码】A
ResearchonTIN—-Cu films multi-—arcion
CO—-deposition preparedby plating
composite
2
MU WANG WANGMA ZHENG
Jing—jing1”,Cong—zeng2,Guo—gang1,jie 2,Guo—long
Station ElectricPowerResearch 100070,China;
(1.Power TechnologyDivision,China Institue,Beijing
ofMaterial of
UniversityTechnology,Beijing100124,China)
2.College ScienceEngineering,Beijing
Abstract:TiN—Cu multi—arcion the
co—depositioncompositefilms赋pI℃pal爿by plating,and
films andaria-
of orientationandhardnessof were
morphology,structure composite observed,measured
phase,preferred
showsthatTiN—Cu films multi—areion is tothe8U-
result
lyzed.The co—depositioncompositepreparedby platingup
than thelevelof
of TiN sizeinthefilmsis less 15nm,achievingnanocrystal;
pedutrdness40.8GPa;Thegrain commonly
fdmhardne
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