不同电极电位下taC%3aN电极EIS行为研究.pdfVIP

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2017-08-20 发布于安徽
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A．047 不同电极电位下taC：N电极EIS行为的研究到盐I，王广甫“，汪正浩一． fd北京师范大学化学学院，北京，100875,E-mail：zhwang@,bnu．edu．cn， b北京{!}i》范大学分析测试中心，北京，100875) taC：N作为具有潜力的半导体电极材料近年来开始受到世界电化学界的关注【卜31．我们在Imol／L，HCIO, EIS复平面图(图1)，频率范围10。2。105Hz：振幅为5mv，停留时间为5s． E ￡ E ‘ o o 岫岬 ● o o f- f × × ‘ 吖 N E ￡ o 峄 o P × 轧图1分别在氮分压lxl0五Pa和2x10。2Pa下制备的3AI和382电极，在不同电极电位下的EIS行为． TheEIS variouselectrode taC：Nelectrodes3AIand382 、Fig．1 behaviors，at pot％tiaB，oftwo x ． atdifferentN ofI 10．2Paand2x10一Pa deposited pressure respectively．根据图2所示等效电路对EIS谱图进行拟合分析．Rs是电极体系中导线电阻，接触电阻、工作电极与辅助电极之间的溶液电阻之和，即末补偿电阻，量纲是Q；RA和RB分别为高频区和低频区半圆的电阻，量纲是Q；CA和CB分别为高频区和低频区半圆的电容，量纲是F．拟合结果显示无论电极中N含量低或高，低频半圆B代表的过程的电阻和电容随电极电位有类似的变化．我们认为这是电子在电极表面的空间电荷层内的转移过程．