模糊自整定PI D控制算法在薄膜型硫化铅红外传感器制作中的应用.pdfVIP

全面感知ComprehensivePerception l 模糊自整定PID控制算法在 薄膜型硫化铅红外传感器制作中的应用 贾 涛，冯 刚，焦 慧，高 飞 (陕西华星电子集团有限公司，陕西 咸阳 712000) 摘 要：为了更好地解决薄膜型硫化铅红外传感器在化学沉淀法制膜过程中的温度的控制问题，采用模糊自整定PID控 制算法设计了一个化学沉淀温度 自动控制系统，控温精度达到±1．5。c以内，迟到了薄膜型硫化铅红外传感器化学制膜过程的 温度控制要求。 关键词：模糊 自整定PID控制；89C55WD单片机；硫化铅薄膜；红外传感器 中图分类号：TP393 文献标志码：A 文章编号：2095—1302(2014)11．0035—02 0 引 言 的化学沉淀标准温度曲线。单片机根据每条线段的起点温度、 硫化铅红外传感器薄膜的制作方法是将多种化学药剂在 终点温度、起点时间、终点时间参数计算出斜率和对应时间点 一 定的温度条件下按一定的规则加入事先放有基片的反应杯 的温度值。图1选取三种不同型号硫化铅红外传感器各 自的标 内，按特定的温度曲线进行加热，配制的料液发生化学反应 准温度沉淀曲线。 后在基片上生成硫化铅薄膜。目前的温度控制方法是甘油加 p 热法，由人工操作将 120℃的甘油做为加热介质，通过油泵 娟 注入反应杯加热槽，依靠甘油的注入量来控制沉淀料液的温 度，控温精度得不到保证。为了提高化学沉淀过程中的控温 u 0 b JZ l l l 4 z，3U 3 b 4Z 4b4 bi 时间／分 度精度，本文采用模糊 自整定PID控制设计了一个电加热化 图1标准温度沉淀曲线 学沉淀温度自动控制系统，控温精度达到 ±1．5℃以内，达到 斜率 ：=( 一 0)／(f1一to) (1) 了薄膜型硫化铅红外传感器化学制膜过程的温度控制要求。 标准温度 ： o— ×(f—to) (2) 1系统组成及原理 其中： 表示斜率 ； 表示段的终点温度 ； 表示段的起点 系统建立的主要 目的是通过单片机的有效控制，使化 温度 ；t。表示段的终点时间；f0表示段的起点时间； 表示标 学沉淀温度按照设定的温度曲线进行升温。控制系统硬件由 准温度 ；t表示当前沉淀时间。 89C55WD单片机、AI501测温仪、DA／器转换及V／I转换器、 3建立控制算法模型 AIJK3调功触发器、加热丝、沉淀槽、微型打印机、液晶显 不同硫化铅红外传感器，它们的化学沉淀标准温度曲线 示器等组成。AI501测温仪测量沉淀料液温度，通过串口送 有很大差别。为了方便工作，系统具有输入新曲线或修改曲线 89C55WD单片机，显示、存储、打印数据，进行模糊 PID控 参数功能。为达到精确控制的目的，针对PID控制和模糊控 制运算输出数字信号，经DA／转换及v／I转换为 0～20mA 制的优缺点，采用模糊自整定PID控制算法控制化学沉淀料 标准电流信号控制调功触发器输出加热电压，保证料液温度 液温度。使化学沉淀温度 自动控制系统能够根据实际情况调