CMP抛光液对TiO2薄膜表面粗糙度的影响.pdfVIP

半导体制造技术 SemiconductorManufacturingTechnologies DOI：10．13290／j．cnki．bdtjs．2014．11．009 CMP抛光液对 TiO2薄膜表面粗糙度的影响 张玉峰，王胜利，刘玉岭，段波，李若津，杜旭涛 (河北工业大学 微电子研究所 ，天津300130) 摘要 ：采用 自主配制的碱性抛光液对TiO薄膜进行 了化学机械抛光 (CMP)，研究了在 TiO 薄膜 CMP加工过程 中，碱性抛光液 中的SiO磨料、螯合剂、表面活性剂的体积分数和抛光液pH 值对TiO薄膜表面粗糙度的影响，并进行 了参数优化。实验结果表 明，在一定的抛光条件下， 选用 SiO。磨料体积分数为20％、螯合剂体积分数为 1．0％、非离子表面活性剂体积分数为 5．0％ 和 pH值为 9．0的碱性抛光液，抛光后 TiO 薄膜表面没有划痕等抛光缺 陷，