电压和电极间距对BDD电极电化学氧化效率的影响.pdfVIP

加工、测量与设备 Processing，MeasurementandEquipment 电压和电极间距对BDD电极电化学氧化效率的影响 程 川，高宝红 ，张男男，杨志欣 ，孙铭斌 ，檀柏梅 (河北工业大学 微电子研究所 ，天津 300130) 摘要：掺硼金刚石 (BDD)薄膜 电极具有很宽的电势窗11、很小的背景 电流、很高的电化学稳 定性、其电化学响应在很长时间内保持稳定以及耐腐蚀等优 点。采用热丝化学气相沉积 (HF— CvD)方法制备掺硼金刚石薄膜 ，并用金相显微镜 、原子力显微镜 (AFM)、X射线衍射 (XRD)这三种测试方式进行表征 。BDD薄膜 电极在电解过程中消耗很多能量。从提高氧化效率 来降低能耗的角度 出发，研究了电压及 电极间距对 BDD薄膜 电极 电化学氧化效率的影响。通过 实验得 出电压在 5～13V时电化学氧化效率会随着电压的升高而升高；电极 间距在 0．5～4cm 时 电化学氧化效率随着电极间距的增大而降低 。 关键词 ：掺硼金刚石 (BDD)薄膜电极；电化学；氧化效率 ；电解 电压 ；电极间距 中图分类号 ：0649 文献标识码 ：A 文章编号：1671—4776 (2014)12—0803—04 EffectsoftheVoltageandElectrodeSpaceon theElectrochemical Oxidation EfficiencyoftheBDD Electrode ChengChuan，GaoBaohong，ZhangNannan，YangZhixin，SunM ingbin，TanBaimei (InstituteofMicroelectronics，HebeiUniversityofTechnology，Tianjin300130，China) Abstract：Boron—dopeddiamond (BDD)thinfilm electrodehasalotofadvantages，suchaswide potentialwindow ，smallbackgroundcurrent，highelectrochemicalstability，stableelectrochem i— calresponseinalongtimeandcorrosionresistance．TheBDD thinfilm waspreparedbyhotfila— mentchemicalvapordeposition (HFCVD)，andcharacterizedbythemetallographicmicroscope， atomicforcemicroscopy (AFM )andX—raydiffraction (XRD)．TheBDD thinfilm electrodecon— sumesalotofenergiesintheelectrolysisprocess．From theview ofimprovingtheoxidationeffi— ciencyandreducingenergyconsumption，theeffectsofthevoltageandelectrodespaceon the electrochemicaloxidationefficiencyoftheBDD thinfilm electrodewereinvestigated．Theexperi— mentresultsillustratethattheelectrochemica1oxidationefficiencyincreaseswith theincreaseof thevoltagefrom 5V to 13V ，andtheelectrochemicaloxidationefficiencydecreaseswiththein— creaseoftheelectrodespacefrom 0．5cm to4cm． Keywords：boron—doped diamond (BDD)thin