片式PTCR元件用粉体与sol-gel法制备及性能研究.pdfVIP

摘 要 随着科学技术的迅速发展，PTCR热敏元件逐步走向片式化、叠层化。传统固相 法制备粉体的烧结温度过高（≥1320 ℃），不利于PTCR陶瓷坯片与贱金属共烧成瓷； 其次PTCR元件是利用陶瓷的晶界效应，也决定了固相法原料无法达到制备片式元件 的晶界数目要求，故PTCR被称为最难片式化的材料之一。为了克服低烧和细晶两大 难点，本文就纳米PTCR粉体的制备、陶瓷组分和工艺等展开了相关研究。 首先，采用溶胶-凝胶法制备半导化的纳米BaTiO 陶瓷粉体。在研究日本相关专 3 利的基础上，选取合适的原料及实验条件，将制得的干凝胶在不同的温度下预烧后， 通过XRD分析其晶相组成且计算晶粒尺寸。实验表明：在700 ℃下预烧2 h得到粉体最 小平均粒径为19 nm，与TEM结果基本相符。根据热重分析拟定粉体的预烧温度，并 通过SEM观察陶瓷的微观结构。 在PTCR陶瓷的制备过程中，进行不同含量Y和Mn 的两次掺杂实验，确定施受主 的最佳掺杂量。在陶瓷组分中添加一定量Si和Ca ，分析其对陶瓷微观结构和性能的影 响。粉体干压成型后，对比不同温度烧结陶瓷的性能，得到最佳烧结温度，并讨论了 烧结温度与预烧温度之间的关系和对瓷体密度的影响。 最后，本文在溶胶-凝胶法制备最佳组分的BaTiO 基陶瓷粉体的基础上，采用“绿 3 色化”成型工艺-水基流延成型制备片式PTCR坯片。对比不同成型工艺并进一步降低 烧结温度，在1240℃下烧结得到晶粒尺寸小于2 µm且均匀的瓷片，其室温电阻率为850 2 -1 Ω.cm，升阻比为2.4 ×10 ，温度系数为7.29 %.℃ 。烧结温度为1220 ℃时，平均晶粒 小于1 µm。 关键词：PTCR; 低烧; 细晶; 溶胶-凝胶法; 水基流延 I Abstract With the rapid development of scientific and technology, the development of PTCR elements gradually turned to a chip and multilayer type. The sintering temperature of powder by traditional solid phase synthesis was usually above 1320 ℃, which was harmful for the co-fired of PTCR ceramic green sheets and cheap electrode. Secondly, the grain boundary effect was utilized by the PTCR ceramics, and the number of grain boundary from traditional material was not in demand of chip elements. So PTCR material was difficult for chip type. In order to settle the two difficulties of low sintering temperature and fine grain, the nanopowder fabrication, ceramic component and processing were investigated in the paper. First, semi-conducting BaTiO -based