基于面光源模型的光子晶体发光二极管辐射特性研究.pdfVIP

第十五屠全田化合物半导体、散波器件和光电器件掌术套议 广州’08 WED—GaN-G05 基于面光源模型的光子晶体发光二极管辐射特性的研究 招瑜，范冰丰，王钢 (中山大学光电材料与技术国家莺点实验室，广州510275) matrix 摘要：我们提出一种用j：计算具有光了晶体(PCs)图案的多层结构的面光源模璎。此模型是基于多层散射法(scattering treatment)的计算方法，可处理二维无限大的光子晶体层结构。与传统的采用点光源作为器件辐射光源的做法不同，我们把器件 的发光近似看作是由无穷多个点偶极子纽成的丽辐射源，这种面光源模型与真实的皤辐射器件，如发光二极管(LEDs)，有机发 光二极管(OLED)等的辐射机制相近。可得到更接近真实的发光特性。基于这个模型，我们计算了具有二维光子晶体图案的 LEDs器件的发光特性。二维正方晶格和三角晶格光子晶体表面的LEDs的辐射的角分布光谱表明，具有光子晶体表面的发光 器件的出光有明显的增强。与传统的点偶极子模型的计算结粜比较，面光源模型得到的光谱的共振峰的强度较小，出光韵空间 分布也有所不同。两种模型结果的不同，在三角品格的LEDs结构中尤为明显。对于LEDs卒取效率(extraction efficiency)的 计算同样表明，面光源得到的三角品格结构夺取效率要比点光源的结果略低。 关键词t 发光二极管，光子晶体，面光源 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： PI anar sourcetreatmenttoi nvesti theemi SSi on gate i esofI i emi tti di W i I odesi th 0 propert ght ng photoncrysta patterns Yu Zhao，BinfengFan，GangWang Materialsand Yat-sen (StateKeylaboratoryofOptoelectronicTechnology,SunUniversity,Guangzhou,510275，China) Abstract：Wea sourcetreatmentforthe emitterwhichisdifferentfromthetraditional one．With presentplanar multilayer pointdipole thistreatment,wehave theemissionfor emitterwithtwo-dimensional of investigated spectramultilayer photoniccrystalpattern．Spectra inthecaseof latticeand latticeare withthe varietycouplingangles square triangular calculated,respectively．Comparedtmpattemed structure。efficientenhancementofemiss