离子注入ZnO中N和缺陷相互作用的慢正电子束研究.pdfVIP

核分桥技术43 9Be(d，n)加速器中子源热中子照相的研究 裴宇阳邹宇斌郭之虞唐国有胥建国郭纪美张国辉郭利安 (北京大学重离子物理教育部重点实验室北京100871) 摘要：加速器中子源比反应堆中子源更具灵活性，甚至可发展为可移动式中子照相装置，为将来实现 小型，高品质加速器热中子照相装置，我们在北京大学4．5MeV静电加速器上建立了热中子照相实验平台， 进行热中子照相的预研究。中子源采用9Be(d，n)反应，并对其快中子产额及角分布进行了实验测量。针对 此反应，用蒙特卡罗程序(MCNP)做了慢化体及准直器的优化设计和实验研究以决定最佳参数。成像系 技术的初步研究。 关键词：中子照相慢化体加速器源热中子 主要参考文献 Radiationand 【1】A．X．da Isotopes54(2001)217—225 Silva,V．R．Cfispira,Applied Eberhard a1．Nucl．Instr．andMeth．A．53 [2】 H．Lehmann，EVontobel，GFrei，et 1(2004)228—237 离子注入ZnO中N与缺陷相互作用的慢正电子束研究 陈志权‘ 武汉大学物理科学与技术学院，武汉430072 引言：宽禁带半导体ZnO由于在制备短波长蓝、紫光发光器件的重要应用前景，已引起人们的广泛关 注【11。然而，在ZnO中高质量和可重复的P型掺杂一直没有得到很好的解决。造成这一问题可能有多方面 的因素，其中缺陷是不可忽视的重要原因。ZnO中的受主杂质可能被缺陷自补偿，或者与缺陷结合成电中 性的复合体，从而影响P型掺杂。本工作中我们通过离子注入方法在ZnO中引入N杂质，通过正电子湮没 技术测量，发现了N与缺陷的强烈相互作用。 对于每种离子，采用了7种不同能量(50．380 中200至12500C进行了30分钟等时退火。利用能量可变(O．2．30keV)的慢正电子束对离子注入产生的缺 陷进行了研究。在不同正电子入射能量下对ZnO样品进行多普勒展宽测量，所得到的谱用S参数来表征【2】， 定义为511keV处正电子湮没峰的中心部分计数与整个峰的面积之比值。在缺陷捕获正电子的情形下，由 于正电子与高动量的核芯电子湮没的几率减少，使多普勒展宽谱变窄，从而s参数增大。 结果及讨论：图1显示的是ZnO中正电子湮没多普勒展宽s参数在离子注入前后及退火后的变化。在 未注入的ZnO中，S=1．0表明为没有缺陷的完整晶格。在离子注入后的所有样品中，s参数都有明显增大， 表明离子注入产生了大量的空位型缺陷。根据s参数的大小可以确定缺陷主要为空位团。在O离子和Al 离子注入的ZnO中，S参数在较低的温度下退火后表现出进一步上升。这是由于在退火过程中尺寸较小的 空位如单空位开始迁移，在运动过程中与其它的空位或空位团结合成为体积更大的空位团【3】。在更高的温 度如800—9000C下退火后，这些空位团不再保持稳定，因此逐步被消除，s参数得到回复。对于N离子注 ‘Tel：027ax：027 email：chenzq@whu．edu．cn 缺陷仍保持稳定。我们认为在N离子注入的ZnO中，N与缺陷发生了作用，形成非常稳定的缺陷复合体， 从而在8000C退火不能得到消除。更有意思的结果是，经过8000C以上退火后，S参数还表现出反常上升， 表明有新的缺陷产生。这种反常的退火行为可能也与注入的N杂质有关。在其它很多离子注入的ZnO样品 中。我们并没有观察到类似的缺陷退火行为降51。在高温退火过程中。产生了大量的热平衡缺陷，这些热缺 陷如V五也可能与N杂质结合形成稳定的复合体，从而在冷却后仍能保留下来。对于Al切r共注入的ZnO 样品，我们观察到了同样复杂的缺陷退火行为，它与Al+离子注入的缺陷退火行为形成了明显的对比。这进 一步证实了N与缺陷的强烈相互作用。在O*／N+共注入的样品中，缺陷的退火行为与N离子注入的结果类 似，不过在8000C退火后，绝大多数