三结GaInP2%2fGaAs%2fGe太阳电池电子辐照效应研究的论文.pdfVIP

l 三结GanP：／GaAs／Ge太阳电池电子辐照效应研究 万斌涂洁磊王亮兴池卫荚曾隆月 陈超奇张忠卫 上海空间电源研究所200233上海 在空间的辐射衰减是影响航天飞行器寿命的重要因素，要达到空间实用，有必要对其进行辐照效应研究。 辐射条件下，效率衰减率为21．75％。 关键词：高效率、三结GaInP2／GaAs／Ge太阳电池、电子辐照、结构改进 0引言 光电转换效率高、耐高温性能好、抗辐射能力强，可显著增加太阳电池方阵的性价比和工作寿命，先进 国家在投入了大量人力物力进行研究，并在空间应用的同时，十分重视其抗辐照性能研究【l卜【71。空间的 辐射主要来自宇宙射线、范艾伦带、太阳耀斑、太阳电磁辐射和极光辐射等。范艾伦带已成为航天器的 主要威胁【8】。在地球不同高度、不同轨道上，各种辐射粒子的能量和注量是不同的，通常采用IMeV的 电子辐射等效空间带电粒子的辐射，取得数据后再与实际情况进行比较。 池在经受IMeV、1013 BOL的90．2％，短路电流、开路电压仅分别下降3．1％和1．4％，表现出极好的耐辐照能力。 砷化镓电池的各子电池以及初步研制的三结 能的影响，相同能量、相同辐照剂量对不同结构电池性能的影响。结果表明，随着辐照剂量增大，电池 加固设计，并将改进的结构应用于三结电池，以研究其耐辐照能力。 ·-——120·-—— 1试验 1．1电子辐照试验 地面试验主要目的是确定模拟辐射对太阳电池片性能的影响，并为以后在轨数据的处理建立一种稳定的 试验方法。鉴于太空环境十分复杂，完全模拟其辐照非常困难。目前本领域均采用单一的、标准的高能 粒子进行辐照试验(即：选择能量1MeV电子作为入射粒子)，累计 上电极 注量则根据不同的运行环境和寿命要求而异。本试验以低轨道5～8 减反射膜 年寿命为要求，选定累计注量为l×1015e／cm2。即：电子辐照条件为 顶电池GaInP2 1MeV、l×1015e／cm2，室温下直接入射到三结GalnP2／GaAs／Ge太阳电 池上(无盖片)。 TJl 隧穿结1 1．2三结砷化镓电池的抗辐加固设计 中电池GaAs (1)顶电池n／P结构加固设计； (2)顶电池发射区加固设计； TJ2隧穿结2 (3)顶电池基区加固设计； 底电池 Ge (4)中电池基区加固设计。 背电极 1．3退火试验 …’ 一 一 的量小得多(即：瞬时注量较小)，导致电池在实验室的辐射衰减要的蒜罢篓筹鬈呈苏-詈宴耄嚣霎萎墓萎磊嘉尝萋篡萎图·三结砷化镓太阳电池结构 比实际使用时大得多。实际上，辐射引起结构变化的电池处于亚稳定 状态，一旦停止辐射，在加温或长时间放置会使电池又回到稳定状态，电池的性能也会有一定程度恢复。 该现象被称之为电池退火效应。 空间太阳电池在飞行过程中，将经过太阳光照区，使电池升温：此外，入射到太阳电池表面的太阳 际工作温度。 本工作以带电粒子辐射较强的低轨为研究对象，1．2试验中采用的退火工艺条件为：温度80℃，时 间10小时。 2结果与讨论 2．1 GalnP2顶电池n／p结