有机／聚合物材料体系能带结构的表征——电化学方法研究.pdfVIP

维普资讯 Voj．21 高等 学 校 化 学 学报 NO．9 9000年 9月 CHEM1CALJOURNAlOFcHINEsEUNIVERSITIES {22～ i426 有机 ／聚合物材料体系能带结构的表征 — — 电化学方法研究 ， 塞慧(1．吉林大学化化学系；；2．超分子结构构与谱学开放实验室，长春1许330000宏2233)丁f^，V／夕7j‘ f七摘要 以8一 羟基喹啉铝和聚(Ⅳ 乙烯基)咔唑为例，采用多种电化学方法确立了有机聚台物半导体材料的最 高 占有轨道和最低空轨道能级的位置，所得数据与光电子发射法表征结果一致．用电化学方法测得的带隙 与吸收光谱法得到的E 吻合．用测得的能带结构参数为依据研制的电致发光器件的发光性能狠高． 、 关键词 电化学表征方法；能带结构；带隙}最高占有轨道和最低空轨道的能级7 半导昝 A 文章编号 0251—0790(2000)o9—1422一OS 用于制作 电致发光器件的有机聚合物材料大多属于有机半导体，可以借助无机半导体材料的能带 理论来描述其 电子状态和性质0]．有机聚台物的能带结构(带隙E、价带顶与导带底能量)的表征对优 化选择合成材料，提高和完善器件的性能以及设计多层结构的电致发光器件等具有重要意义0 ． 表征有机聚合物材料能带结构的最常用方法是吸收光谱法 ’．通常，带隙 是由紫外可见光谱 的低能吸收带边 来确定的．但由于用带边计算带隙时人为因素会带来较大误差，因此，用吸收光谱 低能吸收峰值波长 计算带隙的报道较多．但聚合物体系内在的无序性使得几乎所有材料的吸收光谱 都有一个宽的吸收带，宽带的出现为准确测量低能吸收峰位带来困难，并为用低能吸收峰测量带隙带 来不确定因素．采用紫外吸收光谱法只能得到带隙值，无法确定其价带顶和导带底的绝对位置．利用 量化计算的方法0虽可得到某些体系的离子化势和带隙值，但对于大多数结构复杂的材料，因缺少合 适模型丽得不到理想结果…．光电子发射谱分析 也曾用于价带顶能量的表征，但仪器尚未普及． 将电化学方法(如循环伏安法Do])用于有机聚合物能带结构的表征兼具上述三种方法的优点．所用 仪器设备简单，操作方便，并能在同时进行氧化和还原反应的前提下，给出电致发光器件材料体系的 全部能带结构参数，本文 以8一羟基喹啉铝和聚(～一乙烯基)咔唑为例，采用多种电化学方法对其能带结 构进行了详细表征，并对这些方法进行了对 比， 1 实验部分 1．1 试 剂 8一羟基喹啉铝 (AIQ。)和聚(Ⅳ一乙烯基)咔唑(PVK)均购自Aldrich公司，并保存在真空干燥箱中以 免试剂因吸水或受蓝光紫外光照射丽变性．色谱纯乙腈 (AN)和二 甲基 甲酰胺 (DMF)，使用前按文献 ：u]方法精制除去水和氧等杂质，四丁基高氯酸铵(TBAP)购 自浙江试剂厂，用前经二次重结晶后于 100℃下减压干燥，并保存在真空干燥箱中． 1，2 仪器和方法 电化学测量系统采用PAR173／179电化学系统(美国)，采用三室电解池，工作电极和对电极为铂 片，参 比电极Ag／Ag (0．o1mol／L的AgN0s乙腈溶液)的电极 电位用二茂铁离子对(CpzFe／Cp2Fe) 校准，实验前，工作电极经打磨抛光清洗后，用还原焰退火 ]0rain；向0，1mol／LTBAP的电解质溶滚 中通氩气彻底除氧，并于实验中阻氩气饱和，用岛津uV一31o。光谱仪测uVVis谱，所测得的电位均 收稿 日期，1999—09—02． 基金项 目：国家 自热科学基垒 (批准号；597905001)资助． 联系^简介：许宏鼎(1936年出生)，男，教授，博士生导师．从事电分析化学研究 维普资讯 许宏鼎等 有机