提高涂硼正比计数管的性能参数研究.pdfVIP

江西核科技 第十届全国“三核”论坛文选 提高涂硼正比计数管的性能参数的研究 周剑良，程晓龙，赵修良，刘丽艳 (南华大学核科学技术学院，湖南衡阳421001) 捅要本文介绍了与涂硼正比计数管性能参数相关的因素，并着重从涂硼管自身的结构设计、制作工艺和管外的慢 化体设计角度分别对提高性能的技术和方法进行了综述和分析，推导了硼含量和涂硼层厚度与探测效率的关系，明 确了当前的提高涂硼层面积、涂硼工艺和耐高温设计的技术动态。最终提出了涂硼正比计数管应向着选择性能更佳 的填充气体、更成熟的阳极丝安装和涂硼层制作工艺方向发展。 关键字涂硼正比计数管；硼层；阳极丝：填充气体；耐温技术 ●．jL--k l刖蟊 涂硼正比计数管一般应用于热中子探测。与传统的BF3和3He正比计数管相比有更高的中子探测效 率、更好的抗背景丫辐射和长期工作稳定性的特点，尤其适合在反应堆附近存在高温或强Y干扰的环境 …。高剂量的伽马辐射会使BF3气体分解产生含氟自由基，这些自由基对环境会带来一定的安全隐患【21。 并且这些基团具有电负性，能吸附电子而减少电子脉冲的数量，影响探测性能。3He正比计数管在环境 丫剂量超过几mR／h时，必须采取防护措施，并且目前面面临最大的问题是3He气体的缺乏，据报道美 国一年3He需求量可超过世界总产量pJ。基于上述原因涂硼正比计数管得到更快的发展，本文分别从涂 硼正比管自身的涂硼层厚度、硼膜面积、涂硼工艺、耐高温设计的角度和涂硼正比计数管周围慢化体的 角度，讨论了提高计数管性能参数的措施，并对现有的技术进行了总结及展望。 2涂硼正比计数管自身因素对计数管性能的影响 涂硼正比计数管中10B的含量、涂硼层的厚度、涂硼面积对中子的探测效率和灵敏度有较大影响； 涂硼工艺关系到硼膜的均匀性也直接影响到探测效率；合理的阳极丝的安装工艺可提高计数管耐高温的 性能。 2．1ⅢB的含量及层厚度对中子探测效率的影响 涂硼正比管测量中子的原理是：在阴极壁内侧涂上一定厚度的硼膜，入射的热中子与硼发生反应生 成a离子和Li离子，离子逸出硼膜与管内气体分子碰撞生成新的电子离子对，在外加电场的作用下分 别向阴阳极漂移并在阳极形成电子雪崩，阳极输出脉冲来测量中子信息。 进入灵敏体内的离子将其全部能量沉积在填充气体中而被探测，则离子数N可近似看做单位时间 正比管可探测到的中子数。入射中子注量率为缈，则单位时间入射到硼膜表面积S上的中子数为筇， 中子探测效率为： 占=Ⅳ／筘 (1) 下图l为中子与涂硼正比计数管壁相互作用的示意图。 图1中子与涂硼正比计数管管壁相互作用示意图 入射热中子与硼原子发生碰撞，生成的a离子和Li离子沿着相反的方向运动，每次只能有一种离 硼膜线性厚度为x、面积为s、原子密度为n。在x处取厚度为dX的薄膜层，单位时间中子在d)【内与 10B发生反应数为口aonSdx。进而，生成的Q粒子中出射在0方向上、立体角为疵内的数目为： 柳=卿号竽出 ㈤ 在x处沿0方向出射的c【粒子的路程为： 乞=x／cosO (3) 11粒子逸出硼膜的条件是硼膜内经过的路程要小于硼膜内的射程，其射程满足连续慢化近似条件， 最终积分计算出单位时间内从厚度为X的硼膜中逸出进入灵敏体内的0【离子数为： N=硝兰f(1一二) f41 、 一 2 2R。 结合式1)可得出a粒子对探测效率的贡献为：