射频磁控溅射掺Al-%273%2b-ZnO薄膜光致场发射研究.pdfVIP

四…女电f学e信巷器拄木专委岔*十目掌求年会会议站i 斩工Z5新#¨ 射频磁控溅射掺A13 4ZnO薄膜的光致场发射研究 姚友谊邵整书域}培利 (电于{4拙大学微耐学院) 3 【摘要】辑他讳fZnOJ具自较宽I}勺带隙(33eV，扣鞍怔的亲卓f努f 0eVj．百可能用作薄膜场发射中的鞘搬 村抖．k-上主赞研究T鬻用射频溅射蛙制并币同掺杂【^J”l沭艘ZnO薄膜时．棒穗浓度对兜最场发射的影响。通 过SEMfn链肼黎样品表面，筮现表面存在纯泉品化确粒，币罡谜磐品牲成为茧射中心。当掺杂浓度为30at％，3w 光源照射时，琦腱ld批开府电场为38V／0tm． 【关键词1轼化锌射频艇射光敏上自数射阴极掺禁难度 引言 ZnO是一种宽禁带{二导体，室溢F其菏雕山337eV，激r结台能为60n／V，激千增箍也高达 320cm‘lI‘咤扯址学传感嚣、压电期问、声光器什等方面EI宵崭^：的麻川¨】。近年米，随着空湍卜 光泉浦受激发射的报道9}．ZnO材料巫新引起了人们的注意，并j8建成为光电剌辩与期间领域的研 F圯泵fI{|嘲债较低．琏具有较好的热稳定性、抗辐射能力和较低的电j二诱生缺点等优点．在紫外光 探测和发射领域具有较大的应用前景。 1968年蔗国蛳扪福研究所的CA Spindl提}Urr著名的SpindtI辅极结杜J升H酋敞报道，采用薄艇 硬光剥拉术制造铝尖锥的r艺．成功研制出J’商实际应用价值的场技射I堋极阵列…。1974年。Thoma_、 等人酋救搬道r采用微细加1：技术制鲁光栅槛的单品礴尖端场艟射体，显示rff】硅备向异性崭蚀技 术制笛场发射阵刈的j1蜊前最pl。近年球．L乍多诸如线状、带状、棒状出殷针状的ZnO维纳米结 构制籍的如戢报道人最增加．相篾其电子发射的研究也引起不少研究人员的关注。LEE等人研究r 采川金属钴作为摧化卉u制备的ZnO纳米线的电子场发射性能‘”l。获得uI¨A]cm2的电流密度需婪火 约60／am的外加电场：获得l0mA的电流密度需要1I OV／um的f乜场；Dong等^研究r钨失锥上音 70V／I|tm时．电流密艇为24mA／cmq“】。xu等人研究了钉子杖一维ZnO纳米结构的屯f场投射特性， 获符；0jgm／cm!的电z矗密度所需要的电场为l 92V／．um㈣。 但足．褶黄ZnO薄膜的光致场笈日揩}性报道较少。传统认却．蝉想。F面的场增强凼于口为1， 为r获栩欠的『qf流，所需电场妥高选101Vqam。世是．通过扫描电镜列察样晶表面，发现样品表 a1％，3w光 _【ifI并前乎蛰面而足薛拒议多纳米化品粒，正是琏螳晶粒成为发{j寸中心，当掺杂浓鹱为30 源照l；}=f刚．薄艇掰做开启电场为3 8Wgm， 2实验描述 ZnO曲H蟑眭^：磁控甘寸颉溉舯台卜制备的．黻射时首先将彖 镜真空抽《2×10—Pa．同时对底II-}湍节所需硬∞温应对底糯 度㈨到安判村底i．的热偶计测量。本文所剁¨底镒膻均为_『亍萸 利谯表面湍J篮。随后充^溅射气体．’(棒i苊鼋由流翳汁拄制， 靶剌庄正式溉射脯ijj|溅目f10mins。使川¨描电镜fSEMj现 察薄膜的菠[!；：f形粮，柱1列出了溅射参数．黻自}气体组分为图1光致电子场发射样品剖面雷 Ar+o!。样t铺剖瓶取I删试平台由幽l、蹦2表示。 H 日…☆mf竿皇#搴器#}{毒e*1目宇木《宝会议恐l nI￡5靳H 缸宜螗牛婴研究了j、同掺杂浓度以及薄膜表而形孔对光