GaAs%2fInAs纳米线量子点地单光子发射研究.pdfVIP

MBE2013 专题邀请报告 IS7 GaAs/InAs 纳米线量子点的单光子发射研究1 * 喻颖, 牛智川 , 李密锋, 查国伟, 王莉娟, 徐建星, 尚向军, 倪海桥 中国科学院半导体研究所，半导体超晶格国家重点实验室，北京 100083 *通讯作者：电话/传真：010 邮箱：zcniu@semi.ac.cn 单光子源是量子计算、量子通信、弱信号测试、量子密钥传输等应用的关键器件。以 SK （Stranski- Krastanov ）模式生长的低密度InAs/GaAs 量子点，由于可在类二能级体系中 周期性地光泵浦或电注入电子、空穴，在低温下具有类原子光谱而用以制备单光子源[1]。 它具有高的振子强度，窄的谱线宽度，波长可调谐，且容易集成等优势，从而成为固态量子 物理和量子信息器件领域研究的热点。目前，实现高效量子点单光子源面临的挑战性问题是 InAs 单量子点的可控制备，如精确定位、有序扩展、与光学谐振腔耦合等。近年来，将单 个量子点置于天然可控的微