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20 6 Vol. 20 No. 6
1999 6 Semiconductor Optoelectronics Dec. 1999
: 1001- 5868( 2000) 01- 0046- 04
T O
马 瑾, 赵俊卿, 叶丽娜, 田茂华, 马洪磊
( , 250100)
: 用真空反应蒸发技术在有机薄膜衬底上制备出 T O 透明导电薄膜, 对薄膜的低温
制备( 80~ 240 e ) 结构和 电特性进行了研究制备的薄膜为多晶膜, 具有纯三氧化二铟的立方
铁锰矿结构, 最佳取向为( 111) 方向薄膜在可见 区的最低电阻率为6. 63 @ 10- 4 8 #cm, 透过率
达到 82%
: ; ; T O
: T N304. 2+ 1; T N304. 055 : A
Preparation and Characteristics of ITO Films Deposited on
Polyester at Low Substrate Temperature
MA Jin, ZH AO Jun-qing , YE Li-na, T AN M ao-hua, MA Hong-lei
Institute of Optoelectronic Materials and Devices, Shandong University, Jinan 250 100, China)
Abstract : T O f ilms have been prepared on polyester substrate by react ive evaporation t echnique
at low substrate t emperature. Structural and photoelectric propert ies of t he deposit ed f ilms are invest i-
g ated. T he deposit ed films are polycryst alline w it h cubic bixbyite structure. T hey ex hibit a ( 111) pre-
- 4
f erred orient at ion.H ig h quality films w ith resist ivity as low as 6. 63 @ 10 8 #cm and transmitt ance of
over 82% have been obt ained.
Keywords: organic substrate; transparent conduct ive film; T O f ilm
1
, ,
( T O)
,
T O
T O [ 5~ 8]
[ 1~ 4] T O
,
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