黑色LiNbO3与LiTaO3晶片SAW器件研究.pdfVIP

第25卷第4期 声学技术 、，01．25，No．4Pt．2 2006年8月 TechnicalAcoustics Aug．，2006 i i Nb03和L 黑色L Ta03晶片SAW器件研究 夏宗仁，贝伟斌，崔坤，秦晓勇，吴剑波，朱怀烈 《中电辩技德清华莹电子有隈袋司，濒汪缝演313216—xzr@dqhua—ying,com) 摘幕采用化学筑原工艺成功地制备了LN和LT黑色晶片．在这毖黑色晶片上制作了中心频串分别为36M}Iz和 446MHz斡SAW器传。研究表明，黑片工艺显著降低了晶片表面的静电，增加了避紫外光吸收，而其他性能不受 锤留影嚷，旋SAW器箨秘终测合霉参率蓰高了5-10jI． 关镳词：铌酸锂，钽酸锂，低静电，晶片，声表面波器件 ofSAW Fabricationand devicesonLNandLTblack performance wafers Xia weibin，CuiKun,Qin Huailie ZongReIl，Bei Xiaoyong,WuJiangbo，Zhu Electronic (DeqingHuaying Co．，Ltd,CETC,Deqing313216，Zhejiang,China) Abstract： black and waferswere chemical LiRl03 by Free-pyroLlNIK)3 preparedsuccessfully werefabricatedonthese wafers． reduction．Surfaceacoustic black wave(SAW)devices Performanceof毽K啾devicesshowedthat werereducedduetothe pyroelectriccharges of wafersandnear-ultraviolet wasincreased． black higherconductivity liegatabsorption Therefore．thefmaltest ofSAWdevicesWasincreased5。10％． yield device Keywords：LiNb03，LiTa03。pyro-free，wafer,SAW 1．引言 铌酸锂(L娃婚03酆田和钽酸锂(LiTa03；LT)晶体具有优异的压电、热电、光电等性能，是十分 重要的多功麓藩终枋料。尽管莓蓠80％汉上觞声表面波(s轰W)器件使用LN、LT作基片，毽 LN、LT晶体的光透过性和高热释电等性能却对一些类型SAW器件制作工艺带来困难，如窄孔 23x10SC／m2*K，毫热释电系数易烧毁叉指电极，绝缘电阻下降，因此大大增加了器件的次晶率 B-3]。在传统压电鑫片上进行光捌工艺对，材料的透光魏导致晶片背谣形成漫散射，从而降低了 光刻电路的衬度，导致不合格的线宽。针对SAW器件制作中存在的这些问题，