硅基Ⅱ-Ⅵ族单结和多结太阳电池研究.pdfVIP

MBE2013 口头报告 S7-4 硅基 II-VI 族单结及多结太阳电池研究 张理嫩，刘超* 中国科学院半导体研究所，半导体材料科学重点实验室，北京 100083 近年来太阳电池产业获得了空前迅猛的发展，对高效太阳电池系统的研发受到了业界的 高度重视，最高的光电转换效率记录不断地被刷新。在众多光伏应用系统中，高聚光伏(HCPV) 系统的光伏转换效率最高。高聚光已成为提高光伏转换效率、减小电池面积、降低发电成本 的有效手段。目前应用于HCPV 系统的典型太阳电池是单片集成式三结电池，通过MOCVD 在Ge 或GaAs 衬底上外延生长III-V 族同质结材料，例如GaInP 和GaInAs 来制备的，这其 中又以Ge 作为底电池的应用最多。外延生长III-V 族电池材料要求晶格匹配，以减少晶格 缺陷、提高少子寿命、降低光生电子-空穴对的热化能量损耗。而晶格匹配的要求却制约了 对III-V 族材料带隙的选择，使III-V 族多结电池的带隙不能达到最佳匹配。研究发现，II-VI 族材料的少子寿命对晶体位错不敏感，尽管Si 和CdTe 的晶格失配高达19.4%，采用MBE 在Si 衬底上生长CdTe 外延层的少子寿命约是InGaP/GaAs/InGaAs 三结电池的顶电池及底 [1] 电池少子寿命的10~100 倍 。对于Si 基II-VI 族多结电池，晶格失配对电池效率的影响较 小，在带隙选择上更加灵活，电池的光伏转换效率有可能更高。作为双结或三结电池的底电 池，Si 的带隙比Ge 带隙更加理想。与Ge 衬底相比，面积大、成本低、机械性能优越的Si 衬底还可以降低多结电池的制造成本。基于以上理由，在 CPV 应用系统中，采用MBE 或 其它真空沉积技术在大面积Si 基上生长以CdTe 为基础的II-VI 族多结电池有希望部分替代 III-V 族多结电池而获得广泛地应用。 理论计算表明，II-VI/Si 电池效率高于同节数的III-V/Ge 电池效率：禁带宽度为2.06eV /1.52eV/1.12eV 的CdZnTe/CdZnTe/Si 三结电池在 1sun (或500 倍聚光)辐射条件下的极限效 率为44.08% (50.19%) ，高于禁带宽度为1.88eV/1.36eV/0.67eV 的GaInP/InGaAs/Ge 电池40.14% [2] (46.65%)的极限效率 。尽管II-VI/Si 电池结构拥有潜在的性能优势，但由于目前高质量II-VI 族单晶薄膜材料生长困难和存在两性掺杂的难题，使 II-VI 材料未被充分应用于光伏领域。 因此，深入开展对Si 基CdZnTe 单结电池和CdZnTe/Si 双结电池原型器件的研究，并在此基 础上进一步研发新型的多结II-VI 族太阳电池将有广阔的发展前景。 本文简要综述了近年来在Si 基CdZnTe 单结电池和CdZnTe/Si 双结电池研究中取得的成 果以及所面临的技术挑战。M. Carmody 等人在p+-Si 衬底和n+/p-Si 同质结上采用MBE 外 延生长3μm 厚的CdZnTe 单晶同质结制备出了CdZnTe 单结电池和CdZnTe/Si 双结电池样品， [3] 17 -3 其结构如图1 所示 。n 型CdZnTe 层的掺杂浓度约为3×10 cm ，p 型CdZnTe 层的掺杂浓 16 -3 [4] [1] 度为10 cm 量级 。在AM1.5 辐射条件下，测得的I-V 特性曲线如图2 所示 。表 1 给出 了CdZnTe 单结电池和CdZnTe/Si 双结电池 I-V 特性参数的理论与实验结果。可以看出， CdZnTe 单结电池的开路电压VOC 是 1.34V，达到了热力学理论极限的90%，其电池性能较 为理想，与报道的Ge 基GaAs 电池的实验结果相近。CdZnTe/Si 双结电池的VOC 为1.75V，