纳米品LaNiAl膜的固氦能力与其He在晶格中的占位研究.pdfVIP

2006全国荷电粒子源粒子束学术会议文集 纳米品LaNiAl膜的固氦能力及其He在品格中的占位研究‘ 郑思孝D-范瑛2’谭云∞周德惠∞廖彬幻庞洪超D宋应民D段艳敏D 廖小东D刘仲阳D李天富∞刘蕴韬劬李峻宏鼬孙凯鼬 ”(四川大学原子能科学技术研究所，辐射物理及技术教育部重点实验室，成都610064) ∞(中国工程物理研究院结构力学研究所，绵阳621900) 3’(中国原子能科学研究院核物理所中子散射实验室。北京275信箱30分箱) 摘要。具有使常规体材既纳米化又同时渗He的特色的离子束辅助磁控He、Ar共溅射沉积 方法，已经用于沉积纳米晶LaNiAI含氦膜和含氦粉。XRD、PBS，充放H2实验表明： 决定纳米结晶LaNiAI膜的含He量和He位置的关键因素是靶材的品质，最低弧放 o．87H2钳、 原予比10．996、13．3％的两种结晶含氦膜，其储He、H2能力为LaNi3．2A1。。He LaNi6．俎11．25He0．蚰； 晶格中。 关键词l纳米晶LaNiAI膜；氦原子：氦量保持；中予衍射 1、引言 由A1取代LaNi5中的部分Ni形成LaNiAI三元合金，其允许在宽的气压荷温度范围内控制。 H2分解压力，但同时又像LaNi。一样具有卓越的氢吸收、解吸动力学特性和大的储氢性能Ⅲ。储氢 材料的特性和可能性已有综述噜1。人们已经观察到贮氚一定时间的LaNiAI氚化物在氚释放时3He 并不随氚的释放而释放，仍稳定地存在于合金的基体中的独特性能∞1。纳米晶LaNiAI膜材能否象 LaNiAI体材一样也具有同样的特性一直是人们关注的重点课题。虽然典型的LaNis的非晶、结晶 n11 n町以及LaNi4．25A1¨5D1．01 膜‘4·5。6J】、结晶粉体阻1室温下沉积含He的LaNiAI膜咖体材LaNi6Do．3 中D在晶格中的位置已有报导，但至今在一定恒温区用磁控溅射共沉积含He纳米晶LaNiAI膜及 He在晶格中的位置研究尚未见报导。本课题将介绍恒温沉积的纳米晶LaNiAI膜材的固He储H2 能力以及He在晶格中的位置研究结果。我们采用离子束辅助下的磁控He，Ar共溅射沉积含He 纳米晶粒LaNiAI膜的方法，它有别于：具有放射性的氚衰变，中子辐照(n．Q)反应方法；岫 级膜厚中He的均匀分布，克服了400ev注入，He注入深度nm级的分析困难；且含He量远高于 入更低的晶格损伤。 2、样品的制备与分析方法 含氦膜及含氦膜粉在我们所自己研制的离子辅助磁控溅射共沉积装置上完成的。我们自行研 制的其溅射环外直径①28的专用小磁控源，中国有色金属研究院研制的①32mmLaNiAl钮扣纯靶， 取向，(111)取向靶也能在该温度下沉积出标准CaCus结构的含氦膜粉，离子束辅助沉膜前的衬 底表面清洗及磁控溅射靶的预溅射既确保了膜的品质也使膜与Mo衬底表面问具有高附着力，为 膜充放H。及He的热解析时膜层不脱落及He位置等表征奠定了基础。样品架背后置热电偶测定沉 膜时的温度。Mo基底首先经去油，去掉氧化层，高温烧Hz去氧、氮杂质，经超声波清洗后的样 品放入靶室后在静态真空10。4Pa后充Ar至10一’a条件下衬底经加热去气，1KeVAr离子束清洗 ‘本课题由国家自然科学基金资助项目号 ”通信作者email：sixiao 电话：028传真：028- zheng@163．com， 144 2006全国荷电粒子源粒子束学术会议文集 Mo基衬底表面，磁控源靶纯Ar放电预溅射后，在Ar气氛下冷却至所需成膜工艺的温度，再在 He／Ar气氛下预溅射工作后，将清洗的样品架转至成膜位。考虑到小LaNit5A1¨靶的散热能力， 避免A1杂质，弧流小于180mA。氦的含量的离子束分析在我所2．5M