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Si纳米晶表面结构的第一性原理研究 Thefirstprinciplestudyofthesurfaceofsinano-cluster 张军星 张庆峰 刘世民 亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室[燕山大学]，秦皇岛066004 摘要 Si纳米晶材料在太阳能电池，光电器件中有广泛的应用前景。本文基于第一性原理的密度泛函理论，利用Materiala Studio软件中的DMo(l)3模块计算了不同结构的Si纳米晶的态密度。计算结果表明量子限制效应和表面态都是影响Si纳米晶 发光的因素。Si纳米晶表面的O原子通过与Si原子成键而在带隙中引入了局域能级。局域能级的出现使得Si纳米晶的带隙变 窄。通过分析，我们认为，相比于Si-O-Si键，Si=O双键更有可能存在于Si纳米晶的表面，成为影响其发光的一个重要因 素。 关键词 Si纳米晶；第一性原理；态密度 Abstract:Sinano-clustermaterialshavebroadapplicationprospectsinSolarCellandphotoelectricdevices.ThispaperisbasedonDFT ofthefirstprinciple.WecalculatetheDOSofdifferentkindsofSinano-clusterbyDMol3inMaterialsStudio.Theresultsimplythat bothquantumrestrictionandsurfacestatespalyanimportantroleinluminescence.OatombondingwithSiatomleadinalocalenergy levelintheenergygap.Thelocalenergylevelnarrowstheenergygap.WeconsiderthatSi=Odoublebondingismorelikelytoexist intheSinano-clusterandaffectsitsluminescence. Keywords:sinano-duster;firstprinciple;DOS 嘶品髓玻珥 i—S 用． 缩．使得最邻近的S j键极大地拉伸．并变得 极易断裂【10】．而Si=O双键的畸变则较小，优化 以含有Si=O双键的Si纳米晶结构为例．从图 前后S．_O双键键长缩短了19％左右．并且没有明 5可知．随着Si=O双键数目的增多．局域能级密 i—S i原 显影响周围的S i键的结构．我们据此推测． 度增大．这也印证了局域能级是由于O原子与S si—O—si键在Si纳米晶结构中稳定存在的可能性较子成键造成的．随着O原子与Si原子成键数目的增 小．而Si-O双键的形变较小．因此稳定存在的可 多．局域能级密度增大到一定程度时．可能会显 能性较大． 著影响Si纳米晶的发光现象． 围==H日¨H¨臼口岛H囡 圈3优化后的Si纳米■翁构(a)翳-DSI■(b)Sl=o双■ i纳米晶(半径为5nm)的 图4为不同结构的s 态密度图．从图中可以看出．表面含有Si一0一Si B_删 键和s．_O双键的Si纳米晶在带隙中均出现了局域 圈4不同结构S嘲米■的态密度■ 能级．局域能级的出现使得带隙变窄并得到固 定．这一点使得实验中当si纳米晶尺寸小至3nm 姗 时．光致发光峰停留在某一位置不再变化的现象