柔性衬底上GaN生长的研究.pdfVIP

2∞4卑8月，啦 寥叶嘧‘l士一化—¨牛辱件—●*、■崔‘l晰桃■|■母木—r饿 ■}，f九—I士■■——‘■‘●砷—r文 柔性衬底上GaN生长研究 王军喜王晓亮刘宏新胡国新李建平李晋闽曾一平 中国科学院半导体研究所材料中心北京100083 摘要 了对比分析。在柔性村底上获得了无裂纹的外延层。研究了GaN外延层中的应力和光学性质，光致发光测试结果表 明柔性衬底上生长的外延层中应力和杂质浓度明显低于直接生长在si衬底上的样品的值。研究结果显示了所用柔性 衬底有助于改善GaN外延膜的质量。 关健词：分子柬外延、aN、柔性衬底、光致发光 1．引言 因为si单晶具有质量好、尺寸大、便于集成、价格低、易于解理、容易制作电极、在高温下不 易分解等优势，因此是实现GaN基光电子和微电子器件集成的最具潜力的衬底材料。近年来，氮化 物在si衬底上的外延生长引起了广泛的关注“棚，并取得了一定进展。目前，使用MOCVD方法在 2DEG结构材料的室温迁移率达到了900 Si(111)衬底上的AIGaN／CmN cmeN．s，20K时为7500 Si(111湔底上生长的高电子迁移率晶体管材料的室温电子迁移率为1600 cm’弧s【”。另外Si衬底上的GaN基紫外探测器9锎LED[10]也已经研制成功。 以得到无裂纹的GaN外延膜。裂纹在材料中作为散射中心能够妨碍光的传播，阻碍平面电流和使垂 直电流突变…’1”，因此极大的限制了si基GaN器件的发展。 在本文中，我们对si衬底和柔性衬底上的GaN的MBE生长进行了研究，比较了在两种衬底上 所生长的GaN材料的性质，发现使用柔性衬底有助于改善材料的表面形貌、降低外延层中应力，抑 制裂纹的产生。结果显示所用的柔性衬底是一种有潜力的GaN衬底材料。 2．实验 材料外延生长设备是国产Ⅳ型MBE设备，设备由生长室、分析室和进样室组成。生长GaN外 延层所用的氮源为高纯度的NH3，其流量用质量流量计控制；镓源为纯度为7N的高纯金属镓，其 柬流强度由源炉的温度控制。 am，非晶sm2层下面的厚 nm，非晶si02层的厚度约为70 构示意图，薄层Si(100)的厚度约为50 ．361． 20¨年B月，灌 ，『叶．|U士■I?分■H‘●嗣L|寸#．—哺t—忡晕峨■J●件呻，斗—H乩 ，}，FJLJI●}■■——●■‘●b爿0●戗 吸收外延过程中产生的应力。 生长前首先要对衬底进行化学清洗并在分析室加热预除气．然后转入生长室将村底加热至800 ℃并持续高温一小时以去除其表面氧化层。用砌{旺D进行在位监测，清洁的Si(111)表面应呈现7 ×7的表面再构图形。 GaN外延层的生长采用三步生长法，即先在750。C左右在衬底表面铺一薄层金属Al，然后低温 生长A1N成核层，最后在高温下生长GaN外延层。GaN外延层的厚度在1岫一1．2 lam之间。在生 长AIN成核层前需要注意的问题是要防止非晶SiNx的形成。由于Si-N的化学键合能为9．5eV，远 大于A1．N的2．98eV，因此N原子会优先与si结合形成非晶的SiN。，影响材料的质量。所以在生长 AIN缓冲层之前，要先在衬底上淀积2-3个原子层的Al原子。然后再将NH3引入到生长系统中， 从而阻止了N与si的接触，使其只与Al反应形成AIN成核层。 用Olympus光学显微镜和原子力显微镜对样品表面形貌进行了观测比较，并在低温下对样品进 行了光致发光谱测试，所用激发光源为He-Cd激光器(波长325nlll，激发功率为10mW)。