基于非晶硅薄膜晶体管的非制冷红外探测器.pdfVIP

基于非晶硅薄膜晶体管的非制冷红外探测器 韩琳刘兴明刘理天 清华大学微电子学研究所 北京 100084 摘要：本文研究了非制冷红外探测器的敏感元件一一非晶硅薄膜晶体管，成功制备了接触层离子注 入型的非晶硅薄膜晶体管，并得到了良好的电特性和热电特性．基于此敏感单元的非制冷红外探测器工 艺制备简单，制备温度不超过300C，并能常规IC工艺兼容． 关键词：非晶硅薄膜晶体管硼离子注入非制冷红外探测器 电流温度系数 1．引言 红外探测器由于其在军事领域和民用领域有着广泛的应用前景，近年来备受人们的青睐。室温红外探测 器由于它的低成本和便携性，成为人们研究的焦点之一。敏感元件是红外探测器的核心元件，它是感知红外 辐射和输出信号之间的桥梁。因此研究高灵敏度、制备方法与常规IC工艺兼容的敏感元件是实现低成本高 性能的室温红外探测器的关键。 本文研究了基于非晶硅薄膜晶体管(TFr)的室温红外探测器。由于非晶硅薄膜晶体管中载流子迁移率随 着温度的增加而增大【1】，阈值电压随着温度的增大而减小【2】，因此非晶硅薄膜晶体管在适当的栅压和源漏电 械等类型，基于非晶硅薄膜晶体管的室温红外探测器制作工艺简单并能与常规Ic工艺兼容，而且制作温度 不超过300℃。 ， 层气相掺杂型非晶硅薄膜晶体管工艺制作比较困难，主要是因为反应离子刻蚀㈣对接触层气相掺杂的非 晶硅和沟道有源层本征的非晶硅没有选择性，所以在对接触层进行刻蚀时，会对沟道区的非晶硅造成损伤， 增加非晶硅的界面缺陷，从而影响器件的性能。而离子注入型的非晶硅薄膜晶体管克服了这种工艺制备的困 难，简化了室温红外探测器的制备工艺。接触层离子注入型非晶硅薄膜晶体管的示意图如图1所示。 图l 接触层离子注入型非晶硅薄膜晶体管的结构示意图 2．非晶硅薄膜晶体管非制冷红外探测器的制作 根据研究室的实验条件，并结合本研究室已有的非晶硅薄膜晶体管非制冷红外探测器的制备工艺，我们 进行了离子注入型背栅结构非晶硅薄膜晶体管的制作。制作工艺流程示意图如图2所示，简述如下： 500 (1)旋涂聚酰亚胺，作为室温红外探测器的绝热层： (2)溅射铝并光刻；制作背栅电极： A，淀积条件：SiI-h为40sccm， (4)PECVD淀积有源层非晶硅并光刻，形成有源区，有源层厚度1500 温度300℃，射频功率300W： X10¨，cm2，注入能量20 (5)源漏硼离子注入，注入剂量5 KeV，并在300(2下N2气氛中退火1小时： (6)溅射源漏铝电极，并光刻。形成源漏电极。 。 图2基于Ⅱ叮室温红外探测器的制作工艺流程示意图 3．非晶硅薄膜晶体管的电特性和热电特性 3。1非晶硅薄膜晶体管的电特性 移特性。 由薄膜晶体管的输出特性曲线可知，制作出的非晶硅薄膜晶体管具有类似普通MOS晶体管的输出特性。 由输出特性曲线我们可以得出，用离子注入方法制备源漏电极接触层，从而改变接触区非晶硅的电导率是可 X10一uA，Ion／loft约为数量级105， 开态电流(Ion)为8uA；当Vgs=0V和Vds=．10V时，关态电流(Io田为3 这表明器件具有良好的开关特性。 ” Io N霞‘15V ＼帐霸黔 铲 一