电力电子复习提纲 南京工程学院.pdfVIP

第一章 绪论 1、基本知识点 （1）电力电子技术定义：变换和控制 （2 ）电力电子技术两个分支：器件制造技术和变流技术 （3 ）四种基本的电能变换电路：AC→DC 、DC→AC 、AC→AC 、DC→DC （4 ）电力电子技术学科背景：信息电子学、电气工程和控制理论交叉形成的新 兴学科 （5 ）电力电子技术发展：半控器件（晶闸管）→普通全控器件（门极可关断晶 闸管、大功率晶体管、电力金属氧化物半导体场效应晶体管）→复合器件（绝 缘栅双极性晶体管）→模块化、集成化、智能化 （6 ）与信息电子器件相比较，电力电子器件的特点：功率大、工作在开关状态、 需驱动电路、损耗大需加散热（通态损耗、断态损耗、开通损耗、关断损耗）。 （7 ）电力电子器件的分类： ①据被控程度：不可控、半控、全控 ②据驱动信号性质：电压驱动、电流驱动 ③据内部载流子参与导电情况：单极型、双极型和复合型 （8 ）电力电子装置和系统组成：控制电路、驱动电路和以电力电子器件为核心 的的主电路。 ①电气隔离：光或磁 ②保护电路：过电压和过电流 （9 ）电力电子电路的控制方式：相控、斩控、频控 1 第二章 电力电子器件 1、复习方法 （1）器件电气符号 （2 ）工作原理 （3 ）基本特性：静态+动态 （4 ）主要参数 （5 ）主要特点 2 、基本知识点 （1）主要电力电子器件的电气符号，按照三种分类方法各属于哪一种： ①Power Diode ②Thyristor （SCR） ③GTO ④GTR ⑤Power MOSFET ⑥IGBT （2 ）各器件的主要特点： ①Power Diode ：单向导电性 ②Thyristor （SCR）：半控型，目前主要的电力电子器件中容量最大的 ③GTO ：晶闸管的派生器件，全控，关断时需要从门极抽取很大的电流才 能使之关断，在全控型电力电子器件中容量最大 ④GTR ：二次击穿，安全工作区 ⑤Power MOSFET ：主要电力电子器件中开关速度最快的， UGS ≤20V ⑥IGBT ：结合 GTR 和 Power MOSFET 的优点，但开关速度比 Power MOSFET 低，容量比 GTR 小，擎住效应（自锁效应），MOSFET 作为输入级 U ≤20V GE （3 ）◆电导调制效应：当PN 结上流过的正向电流较小时，二极管的电阻主要 是作为基片的低掺杂 N 区的欧姆电阻，其阻值较高且为常量，因而管压降随正 向电流的上升而增加；当PN 结流过的正向电流较大时，注入并积累在低掺杂 N 2 区的少子空穴浓度将很大，为了维持半导体的电中性条件，其多子浓度也相应 大幅度增加，使得其电阻率明显下降，也就是电导率大大增加，这就是电导调 制效应。 （4 ）根据反向恢复时间t 二极管分为：普通二极管（General Purpose Diode ）、 rr 快恢复二极管（Fast Recovery Diode—— FRD ）、肖特基二极管（Schottky Barrier Diode——SBD ） （5 ）晶闸管 ①导通的条件和关断的方法 ②导通后的晶闸管特性和二极管的正向特性相仿 ③晶闸管的关断时间包括反向阻断恢复时间（t ）和正向阻断恢复时间 rr （ t ），在正向阻断恢复时间内如果重新对晶闸管施加正向电压，晶闸管会重 gr 新正向导通 ④通常取晶闸管的UDRM 和URRM 中较小的标值作为该器件的额定电压。选 用时，额定电压要留有一定裕量,一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰 值电压 2—3 倍。 ⑤维持电流I H —— 由导通转为关断。擎住电流 I L —— 由关断转为导通。 对同一晶闸管来说，通常I L 约为I H 的2—4 倍 ⑥◆动态参数： A 、断态电压临界上升率du / dt ——指在额定结温和门极开路的情况下，不 导致晶闸管从断态到通态转换的外加电压最大上升率。防止晶闸管误导通 B 、通态电流临界上升率di / dt ——指在规定条件下，晶闸管能承受而无 有害影响的最大通态电流上升率。防止晶闸管门极热损坏 ⑦晶闸管的派生器件：快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸 管。 （6 ）GTO 与普通晶闸管的不同点 （7 ）GTR 工作在开关状态是在截止区和饱和区之间进行来回转换，中间经过 放大区； 3 Power MOSFET 工作在开关状态是在截止区和非饱和区之间进行来回转 换，中间经过饱和区； IGBT 工作在开关状态是在正向阻断区和饱和区之间进行来回转换，中间 经过有源区； （8 ）Power MOSFET ①使用时注意寄生二极管的影响 ②通态电阻具有正的温度系数，对并联时均流有利 （9 ）IGBT ①IGBT 的特