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This is a test. 电路中的开关器件：危险的例子 第二章 功率半导体器件 电路中的开关器件：危险的例子 第二章 功率半导体器件 电路中开关器件符号的处理：仅考虑主回路 第二章 功率半导体器件 电路中开关器件符号的处理：进一步简化 第二章 功率半导体器件 电路中开关器件符号的处理：抽象化 第二章 功率半导体器件 现代电力电子技术原理与应用 现代电力电子技术原理与应用 第二章 功率半导体器件 第二章 功率半导体器件 理想的开关器件 关断时可承受正、反向电压（越高越好） 开通时可流过正、反向电流（越大越好） 开通态、关断态均无损耗 状态转换过程无损耗 状态转换过程快速完成（越快越好） 开关寿命长（允许的开关次数越多越好） 第二章 功率半导体器件 功率半导体器件的状态 导通态（on） 关断态（off） 切换态（换流与换相） 第二章 功率半导体器件 功率半导体器件（实际电力电子开关） 可承受单向或双向断态电压 可流过单向或双向通态电流 导通态和关断态的损耗可接受 切换过程的损耗可接受 切换速度可接受 正确应用时寿命很长 第二章 功率半导体器件 功率半导体器件（实际电力电子开关） F: Forward R: Reverse B: Bidirection C: Conducting B: Blocking 第二章 功率半导体器件 功率半导体器件分类 不控型－整流二极管 半控型－晶闸管 全控型－GTO、BJT、IGBT、MOSFET …… 第二章 功率半导体器件 功率半导体器件及换流技术年谱 功率二极管 第二章 功率半导体器件 P-N结型半导体器件 单向导电器件 非线性器件 电力系统谐波问题 计算机仿真的困难 功率二极管 vD iD K A - + vD iD VB 0 VF I 反向 阻断区 I vD iD 0 符号 实际伏安特性 理想伏安特性 第二章 功率半导体器件 晶闸管 第二章 功率半导体器件 四层三端半导体器件 半可控电器件（控通不控断） 非线性器件 电力系统谐波问题 计算机仿真的困难 晶闸管 vAK iG K A - + iA 反向 阻断区 反向击 穿电压 反向击穿 正向转折电压 导通态 关断态 脉冲电流作用 下导通过程 vAK iA 0 导通态 导通过程 正向阻断 反向阻断 vAK iA 0 符号 实际伏安特性 理想伏安特性 第二章 功率半导体器件 晶闸管 第二章 功率半导体器件 螺栓型晶闸管外观 第二章 功率半导体器件 螺栓型晶闸管外观 第二章 功率半导体器件 平板型晶闸管外观 第二章 功率半导体器件 常用全控型电力电子器件 第二章 功率半导体器件 功率晶体管（巨型晶体管，BJT，GTR） 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET） 绝缘栅型双极型晶体管（IGBT） 门极可关断晶闸管（GTO） …… 功率晶体管 第二章 功率半导体器件 电流控制器件 用于中小功率场合（数十千瓦～数百千瓦） 开关频率较低（数千赫兹以下） 二次击穿问题 MOSFET 第二章 功率半导体器件 电压控制器件 用于小功率场合（数十千瓦以下） 开关频率较高（可至数兆赫兹） 无二次击穿问题 IGBT 第二章 功率半导体器件 电压控制器件 用于中小功率场合（数十千瓦～数百千瓦） 开关频率中（数十千赫兹以下） 掣住效应问题（寄生晶闸管） 该功率等级目前最理想的器件 绝缘栅型双极型晶体管（IGBT） vDS - + iD vGS - + G D S vDS iD 0 vGS 0 On Off vDS iD 符号 实际伏安特性 理想伏安特性 第二章 功率半导体器件 小功率IGBT器件外观 第二章 功率半导体器件 IGBT功率模块外观 第二章 功率半导体器件 IGBT功率模块外观（侧面） 第二章 功率半导体器件 IGBT功率模块外观（底面） 第二章 功率半导体器件 GTO 第二章 功率半导体器件 电流控制器件（关断控制电流很大） 用于（极）大功率场合（可至数十兆瓦） 开关频率低（千赫兹以下） 极大功率应用的（几乎）唯一选择 电力电子功率模块 第二章 功率半导体器件 电力电子器件的集成 电力电子器件与驱动、保护电路的集成 电力电子器件与控制电路的集成 未来发展趋势 高电压 大电流 低功耗 高开关速度 第二章 功率半导体器件 未来发展趋势 第二章 功率半导体器件 电路中的开关器件 第二章 功率半导体器件 KVL与 KCL 不能违反的电路定律： 电路中的开关器件：遵守KVL 第二章 功率半导体器件 电路中的开关器件：遵守KCL 第二章 功率半导体器件 现代电力电子技术原理与应用