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电力电子课程-功率晶体管与二极管1(陈新).pdf
1958 1 SCR- /dldz 1 2 1 1 2 2 Insulated-Gate Bipolar Transistor——IGBT MOSFET GTO 3 3 Power Diode , 3 4 —— Power Diode 20 50 GTR— MOSFET----- IGBT---- 5 6 1 PN PN PN PNPN 7 8 PN P N NP PN 9 10 PNPN PNPN PN PN - - - - + + + + · · - - - - + + + + · · - - - - + + + + · · - - - - + + + + · · 11 12 2 PN U I I TO F IF I 1V F UF —— O U U U TO F : PN PN 13 15 16 17 1 , ,Cb ”” , Cb PN , 18 19 3 2 , Cj Cb+ Cd P N N P , ,, Cd, Cj 20 22 IRR10% t t t t + t a b rr a b I F S t /t t F b a rr t t a b t 10%I RR 23 24 I RR a di/dt, b c b di/dtEMI I F t rr t t a b t 10%I RR 25 26 I RR 4 trr ,1 khz trr 5 us/ ,trr 50 ns 27 28
. . 1. General Purpose Diode 2. Fast Recovery Diode—FRD 1kHz 5μs Rectifier Diode 5μs 100ns20~30ns 29 30 . 3. 10~40ns : +N, /, PN 31 32 5 200V 33 34 . / 1. IF AV : trr : , —— TC SCR 35 39 . . 2. UF 4. T JM PNT J 3. URRM PN U 2/3 B T 125~175°C JM 40 41 6 . 5. t rr t t + t 0 rr a b 6. IFSM 42 43 1. 2. 3. P169,8-4 44 7
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