电工第二章2.6.pdfVIP

§2-6 场效应管及其放大电路 FET Field Effect Transistor ? 绝缘栅型场效应管基本结构和工作原理 ? 绝缘栅型场效应管特性曲线 ? 场效应管放大电路静态分析 ? 场效应管放大电路动态分析 ? 场效应管与晶体管的比较 南京航空航天大学 场效应管（FET ）是利用输入回路的电场效应控制输 出回路电流的一种半导体器件。 仅靠半导体中多数载流子导电，故称 单极型晶体管 电流控制元件。 普通晶体管 2 4 输入电阻较低，仅有10 ~10 欧姆。 电压控制元件。 场效应管 9 14 输入电阻较高，高达10 ~10 欧姆。 南京航空航天大学 结型场效应管 JFET Junction Field Effect Transistor 绝缘栅型场效应管 IGFET Insulated Gate Field Effect Transistor 南京航空航天大学 一、绝缘栅型场效应管分类（MOS管） ——Metal Oxide Semiconductor ?增强型 ?N沟道 工作方式? ? ?耗尽型 ? 结构? ? ?增强型 ?P沟道 工作方式?耗尽型 ? ? 南京航空航天大学 N 二、增强型绝缘栅型场效应管（ 沟道） 1、结构 S G D S O 绝缘层 i 2 N? N? D P型硅衬底 B G B S 南京航空航天大学 2、工作原理 S G D N? N? P型硅衬底 B S N P N D 南京航空航天大学 S G D N? N? P型硅衬底 B 南京航空航天大学 U 0 U 0 P 当 DS ， GS 时，栅极的金属板与 型硅衬底之 间形成了一平板电容器。 南京航空航天大学 S O U 由于绝缘层（ ）很薄，很小的 就能产生很强的电 i 2 GS P 场（方向垂直向下），该电场吸引 型硅衬底中的电子（ 少子）到表层，与空穴复合形成由负离子组成的耗尽层 南京航空航天大学 如果增强UGS 即增强电场，由于吸引了更多的电子， S O N —— 在耗尽层与 之间形成一个 型层 反型层。 i 2 南京航空航天大学 N 该反型层即为沟通源区与漏区的 型导电沟道。 U U 把开始形成导电沟道时所需的 称为开启电压 GS GS th （ 南京航空航天大学 ?U ? 加EG （UGS） GS N沟道 E S G G D ?介质中产生垂直向下的电场 ? ? ?排斥P衬底空穴 N _ _ _ N ? ? ?吸引P衬底电子 P型硅衬底 ?导电沟道形成 耗尽层 UGS UGS th ? ???????? 反型层 ? ?N 型层 ? UGS th ——开启电压 南京航空航天大学 南京航空航天大学 E D ? ? ? EG ? S G D 加ED （UDS）? I D 产生 UGS ??沟道宽度??I D ?， ? ? N N 实现UGS 对I D 的控制 纵向电场：形成导电沟道 P型硅衬底 横向电场：形成I D N沟道 ?I g m D U 跨导 压控元件 ?U DS GS 南京航空航天大学 南京航空航天大学 南京航空航天大学 3、输出特性曲线 iD f ?uDS ?UGS 常数 南京航空航天大学 ①可变电阻区（也称非饱和区） u u 愈大，预夹断时的 值也愈大。 GS DS 南京航空航天大学 ②恒流区（也称饱和区） 南京航空航天大学 ③夹断区 南京航空航天大学 4、转移特性 ? u ?2 i I ? GS ?1 ? D DO ? U ? ? GS th ? IDO是uGS 2 uGS th 时的iD iD f ?uGS ?UDS 常数 南京航空航天大学 N 三、耗尽型绝缘栅型场效应管（ 沟道） D G S 南京航空航天大学 南京航空航天大学 在 UGS off ? UGS ? 0 范围内，耗尽型场效应管的转移特 u 性可近似用下式表示，对于耗尽型，在 情况下产生预 GS I 2 夹断时的漏极电流定义为 。 DSS ? u ? i I ?1? GS ? D DSS? U ? ? GS off ? 南京航空航天大学 P MOS 四、 沟道 管 D 耗尽型 D 增强型 G G S S N MOS P MOS 与 沟道 管相对应， 沟道增强型 管的开启 u 0 u u - 电压 GS th ，当 GS GS th 时管子才导通，漏 源之 u 间加负电源电压； 可在正、负值的一定范围内实现 GS i - 对 的控制，漏 源之间也应加负电压。 D 南京航空航天大学 五、场效应管主要参数 I u u R 除 ， ， ， 等外，还有一个表示场 DSS G