p型透明导电氧化物(TCO)CuAlO2薄膜磁控溅射法光致发光(PL)光电性能论文.docVIP

p型CuAlO_2薄膜的制备与性能表征 【摘要】 CuAlO2是一种Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族间接禁带半导体,在可见光范围内透明,直接光学禁带宽度约为3.5eV,是最早发现的Cu基p型半导体。CuAlO2在光电领域有其独特的性能,具有十分广阔的应用空间和发展潜力。它的成功开发为实现半导体全透明光电器件,如透明二极管、透明晶体管提供了可能性,也推动了传统意义上透明导电氧化物(TCO)薄膜到透明氧化物半导体(TOS)薄膜的发展。本文采用射频磁控溅射法和PLD法在石英和单晶蓝宝石衬底上制备了CuAlO2薄膜,研究了CuAlO2薄膜的结构和光电性能,得到了以下结论：首先,由磁控溅射法直接生长出来的薄膜不是CuAlO2的晶体薄膜。我们通过对Cu-A1-O薄膜进行退火处理,成功获得了沿(001)晶面择优取向的CuAl02薄膜。退火后的薄膜在可见光区域的透过率达到了60%以上。其次,确定了退火参数后,我们系统的研究了磁控溅射的各参数对CuAl02薄膜的结构和光电性能的影响。研究发现衬底温度,溅射功率和溅射时间对薄膜有较大的影响。当衬底温度小于300℃,溅射功率大于200W,生长时间小于2小时,薄膜呈现了c轴取向,薄膜致密,表面平整；而当衬底温度大于400℃溅射功...?更多还原 【Abstract】 CuAlO2 is a novelⅠ-Ⅲ-Ⅵcompound semiconductor with a indirect bandgap. It is transparent in the visible spectral range with a direct optical bandgap of about 3.5 eV, and the first discovered Cu-based p-type semiconductor. It has a lot of potential applications in optoelectronic devices because of its unique properties. The discovery of p-type transparent conducting oxide (TCO) made possible the fabrication of transparent oxide optoelectronic devices, such as transparent p-n junction diodes and tr...?更多还原 【关键词】 p型透明导电氧化物(TCO)； CuAlO2薄膜； 磁控溅射法； 光致发光(PL)； 光电性能； 【Key words】 p-type transparent conductive oxide(TCO)； CuAlO2 film； magnetron sputtering； photoluminescence； photoelectrical properties； 摘要 5-6 Abstract 6 目录 7-10 第一章 绪论 10-25 1.1 透明导电氧化物研究背景 10-11 1.2 研究现状和进展 11-13 1.3 CuAlO_2的晶体结构和电子结构 13-15 1.4 p型CuAlO_2的性能 15-16 1.4.1 CuAlO_2的光学性能 15 1.4.2 CuAlO_2的电学性能 15-16 1.4.3 CuAlO_2的其他性能 16 1.5 p型CuAlO_2的制备方法 16-20 1.5.1 p型CuAlO_2薄膜的制备方法 16-19 1.5.1.1 脉冲激光沉积 17 1.5.1.2 溅射法 17-19 1.5.1.3 化学气相沉积法(CVD) 19 1.5.2 p型CuAlO_2粉末的制备方法 19-20 1.5.2.1 水热法 19-20 1.5.2.2 溶胶凝胶法 20 1.6 CuAlO_2材料的应用前景 20-23 1.6.1 透明太阳能电池和LED 20-22 1.6.2 臭氧传感器 22-23 1.7 本论文研究思路和内容 23-25 第二章 薄膜样品的制备方法和性能表征方法 25-35 2.1 磁控溅射设备 25-26 2.2 磁控溅射辉光放电原理 26-27 2.3 脉冲激光沉积技术(PLD) 27-30 2.4 PLD技术优缺