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圆片级电镀技术探讨 张伟锋 曹颖杰 李永红 段成龙 (中国电子科技集团公司第四十五研究所 北京 101601) 摘要：圆片级电镀技术已经成为一门独立于常规微电子电镀的专门技术。在圆片 级电镀设备的技术指标要求中，高度均匀性是电镀凸点性能的主要衡量指标之一。因 此，几乎所有的圆片级电镀设备都是围绕这一要求展开研制的。本文从最主要影响电 镀效果的流场和电场两个方面出发，通过对圆片电镀设备的各单元部件原理和结构的 探讨与分析，提出了圆片级电镀设备研制中应注意的主要问题和解决办法。 关键词：圆片级电镀；高度均匀性；镀制方式；垂直挂镀；水平喷镀；倾斜旋转 喷镀；电场；流场；双脉冲电镀 Discussion on Wafer Level Electroplating Technique ZHANG Weifeng CAO Yingjie LI Yonghong DUAN Chenglong th (The 45 Research Institute,CETC,Beijing 101601,China) Abstract：Wafer lecvel electroplating technique has been a special technique seperated from convetional microelectronics electroplating technique.Among the specifications of wafer level electroplating system,the uniformity of height is one of main measuring specifications for electroplating system design surrounding this requirement.With respects to flow field and electric field in this paper,the most primary factors influencing electroplating effects,by discussing and analyzing each unit parts’principle the main problems and solutions should be paid attention in wafer level electroplating system design. Key words：Wafer level electroplating；Uniformity of height；Uniformity of height；Electplating mode；Vertical plating；Horizontal plating；Tilt plating； Electric field；Flow field；Pulse reverse electroplating 0 引 言 近 20 年来，微机电系统（MEMS）、晶圆级封装（WLP）两大领域的快速持续发展 带动了电子电镀技术,特别是圆片级电镀技术的进步。圆片级电镀，顾名思义就是在 硅（Si）圆片、砷化镓（GaAs）圆片或者陶瓷基板等其他圆片级衬底的金属化层上进 行金属的电化学沉积。与微电子制造中其他电子电镀相比，圆片级电镀在种类、功能、 精度、质量以及电镀方法上均有不同，技术要求非常之高,从某种意义上讲，圆片级 电镀技术已成为一门独立于常规微电子电镀的专门技术。 圆片级电镀技术的目的主要是用来制作凸点（Bump 或者 Pillar），凸点技术也 呈两极化趋势发展，一是用于前道的芯片堆叠化和芯片尺寸封装的 MEMS 工艺。二是 受前道技术驱动而形成的大尺寸、超薄晶圆的圆片级封装技术，即WLP 技术。金属凸 点电镀工艺流程如图1 所示（以金凸点为例）。 钝化和金属化晶片 UBM 层溅射 光刻胶旋涂 光刻电镀窗口 显影清洗 凸点电镀 去除光刻胶 UBM 层剥离 图1 金凸点形成工艺流程 1