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(中聱科学貔半导体研究鼹集戏光电子学翻家燕点联含实验整，dE囊100083)
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予；l入兹蔫子按爨是影响毒事辩骥量提褰的关键”’。我们提出丁利用磁场驱除氮
离子的方法，商效她柳制了外殛屡的离子损伤从而获得高质量GaNAs量子阱结构
的材辩，其中N的缢分可商这5％，低温光荧光谱的波长为1．21”m．．我们对
鹣魏琴采趱磁场驻除离子生长熬撰器魏蜂擅强度摄裹了15偿，半蠛竟(F嬲M)
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获得了室溢1．30鲫B凌光发射渡长。箕串酶宽(FWHM)夺于50meV．为成功研
懿长波长GalnNAa璧孑氍数滗嚣窝臻溺器奠定了纂毯。
原子，获樽了N表面分凝长度与温度的依赖关系。我们的理论模型与实验结巢符
·446·
合得很好，并得到国际学术界的诊，可和引用。
(4)我们研究了快速热退火(RTA)对GalnNAs材料光学质量的影响，深入分析了低
温(LT)和高温(肿)RTA，引起量子阱的PL谱的峰值波长蓝移和质量提高的不
同物理机制“)。我们研究结果表明，LT-RTA处理的样品质量提高和峰值波长蓝
移(约8nm)较少，其主要原因是由于Ga—In在量子阱界面的互扩散；HT—
RTA处理的样品质量提高和峰值波长蓝移(约28nm)较大，原因是除Ga—In在
量子阱界面的互扩散外，N—As的互扩散将起主导作用。引入磁场，离子损伤
映陷的抑制，将有效地减少上述两种互扩散，从而显著地缩少PL谱的峰值波长
蓝移。
(5)我们成功地研制了GaitS／As／GaAs量子阱激光器，其室温脉冲工作波长为1．28u
III，阚值电流为200 20u
mA：其室温连续工作波长为1 m，阈值密度电流为950
A／cm2，工作温度可高达100oC，在工作温度低于75。C，器件的特征温度(T。)
高达115K‘”．
其工作波长为1．30uIn，峰的FWHM为4lllfl：在偏压为0至6伏时，暗电流为20
至32
pa；击穿电压为一18伏；高频响应特性在3dB带宽为308MHz，影响高
频响应特性提高的主要因素是p-DBR阻抗过大。
参考文献
l 林耀望，潘钟，李联合，张伟，王学宇， 《光电子技术与信息》， 2000年第13
卷
第4期第1页。
2．YW Lin，ZPan．L．H．Li，Z．Q．Zhou，HW
Wang．andZhangThinSolidFilm
368(2000)249．
3李联合，潘钟，张伟，林耀望，王学宇，吴荣汉，《半导体学报》(英文版)22(2000)
31
4·ZhongPan，Lianhe
Li，
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