AlGaN%2fGaN+HEMT器件隔离探究.pdfVIP

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2017-08-17 发布于安徽
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2003年lO月第十二届全国电子束、离子束、光子束学术会北京 AIGaN／GaNHEMT器件隔离研究刘键，肖冬萍魏珂和致经刘新宇吴德馨 (中科院微电子中心化合物半导体器件及电路实验室，北京100029) 摘要：本文报道了AIGaN／GaNHEMT器件制造中器件隔离工艺的研究结果。我们采用离子注入方法实现了1微米深度的器件隔离。通过对比两种不同缓冲层厚度材料的注入隔离工艺以及对比采用RIE刻蚀和离子注入方法的隔离结果，我们认为：材料的漏电主要存在于外延材料的形核层以及靠近形核层的缓冲层区域。此外，我们的离子注入后器件隔离的热稳定性研究结果表明：经过700“C，90秒的热处理后，器件的隔离仍保持原有的水平。隔离的机理很可能是一种热稳定性较高的载流子俘获中心起主要作用。 A ofDeviceIsolationof HEMTs Study AIGaN／GaN Liu Dexin Jian，XiaoDongping，WeiKe，HeZhijing，LiuXinyu，Wu Semiconductor RD Devices＆Circui“Lab,Microelectronics (Compound Center, TheChinese AcademyofSciences，Beijing100029,China) Abstract：Inthis discussedsomeresultsofdeviceisolationAlGaN／(3aN report．we of HEMTsWe theisolationof with lum devicethe of ion completed deepnessby implantation．Wi血thecomparison between with twokindsofmaterialsdeferentbufferthicknessfor isolationthe implantationand the RIE betweenresultsof andion concludedthatcurrent comparison etching implantation．we leakage ofthe for materialsA1GaN，GaNHEMTdevicecomesfromthe ofnucleation and 1ayer nearby．Besides． our showedthatdevice still its isolation thermal afterthe of700℃ experiments kept stability annealing and90seconds．Weal